VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-R80N65HTNF
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CENTRE DE DOCUMENTATION
Téléchargements et fichiers techniques
N° de pièce : YZPST-R80N65HTNF
MOSFET de puissance à canal N
Caractéristiques
Technologie avancée
Excellentes pertes de conduction et de commutation
Excellente stabilité et uniformité
Diode antiparallèle rapide et douce
Applications
Convertisseurs d’induction
Alimentations sans interruption
Paramètres clés de performance
Paramètre | Valeur | Unité |
VCES, min à 25 °C | 650 | V |
Température maximale de jonction | 175 | °C |
IC, impulsion | 320 | A |
VCE(sat), typ @ VGE=15 V | 1.35 | V |
Qg | 224 | nC |
Marquage Informations
Produit Nom | Boîtier | Marquage |
R8 0N65HTNF | TO247 | R80N65HTN |
Boîtier et Broches Informations
Informations sur le boîtier
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
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