VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-RH55N30T
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Réf. : YZPST-RH55N30T
Commande de grille niveau logique
Technologie de procédé avancée
Tenue dynamique au dv/dt
Température de fonctionnement de 175 °C
Commutation rapide
Capacité avalanche totale
Sans plomb
MOSFET de puissance RF - 30 MHz
V DSS=55V
RDS(on)=0,035Ω
ID=30A
Absolues Maximum Valeurs
| paramètre | Max. | unités | |
| ID à Tc = 25 °C | continu courant de drain continu, VGS @ 10 V | 30 | |
| ID à Tc = 100 °C | continu courant de drain continu, VGS @ 10 V | 21 | |
| A | |||
| IDM | pulsé courant de drain courant 0① | 110 | |
| PD à Tc = 25 °C | Puissance Dissipation | 68 | w |
| Linéaire Déclassement Facteur | 0.45 | par °C | |
| VGS | Grille-source Tension | ±16 | V |
| EAS | simple Énergie d'avalanche à impulsion unique Énergie ② | 110 | mJ |
| IAR | Avalanche courant① | 16 | A |
| EAR | Répétitif Avalanche Énergie① | 6.8 | mJ |
| dv/dt | Crête Diode récupération dv/dt ③ | 5 | V/ns |
| TJ | en fonctionnement Jonction et | -55 à + 175 | |
| stockage Température Plage | °C | ||
| TSTG | |||
| soudage Température, pour 10 secondes | 300 (1,6 mm du boîtier) | ||
| Couple de montage, 6-32 ou M3 svis. | 10 lbf·in (1,1 N·m) |
Thermique Résistance
| paramètre | Min. | TYP. | Max. | unités | |
| RθJc | jonction-boîtier | ———1 | ———1 | 2.2 | ℃/W |
| RθcS | boîtier-vers-dissipateur, Plat, Graissée surface | ———1 | 0.5 | ———1 | |
| RθJA | Jonction-ambiante | ———1 | ———1 | 62 |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
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