VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-RM016120T
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Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
CENTRE DE DOCUMENTATION
Téléchargements et fichiers techniques
N/P : YZPST-RM016120T MOSFET SiC
Caractéristiques
À large bande interdite MOSFET SiC technologie
Faible résistance à l’état passant avec une tension de blocage élevée
Faibles capacités parasites avec commutation à grande vitesse
Faible charge de recouvrement inverse (Qrr)
Sans halogène sans plomb, conforme RoHS
Avantages
Réduire les pertes à la commutation
Augmentation du système Fréquence de commutation
Augmentation densité de puissance
Réduction des dissipateurs thermiques exigences
Applications
Alimentations à découpage
Énergies renouvelables
Embarqué Chargeur
Convertisseurs CC/CC haute tension
Définitions des broches du boîtier
Broche 1 - Grille
Broche 2 - Drain
Broche 3 - Source d'alimentation
Boîtier Dimensions
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
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