.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
YZPST-G100HF65D1
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Module IGBT 650 V 100 A YZPST-G100HF65D1
Caractéristiques :
650V100A,VCE(sat)(typ.)=1.80V
Conception à faible inductance
Pertes plus faibles et énergie plus élevée
Technologie IGBT Field Stop
Excellente tenue au court-circuit
Applications générales :
Onduleur auxiliaire
Chauffage par induction et soudage
Applications solaires
Systèmes UPS
Caractéristiques maximales absolues de l'IGBT
| VCES | Tension collecteur-émetteur | 650 | V | |
| VGES | Tension continue grille-émetteur | ±30 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IC | Courant collecteur continu | TC = 100°C | 100 | A |
| ICM | Courant de collecteur de crête | TJ = 150°C | 200 | A |
| PD | Dissipation de puissance maximale (IGBT) | TC = 25 °C, | 390 | W |
| TJ = 150°C | ||||
| tsc | Temps de tenue au court-circuit | > 10 | µs | |
| TJ | Température de jonction maximale de l’IGBT | 150 | °C | |
| TJOP | Plage de température de jonction en fonctionnement maximale | -40 à +150 | °C | |
| Tstg | Plage de température de stockage | -40 à +125 | °C | |
Absolu Maximum Caractéristiques de la diode de roue librede roue libre Diode
| VRRM | Tension inverse de crête répétitive Données préliminaires | 650 | V | |
| Courant direct continu de la diode | TC = 25°C | 200 | ||
| IF | Courant direct continu de la diode | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Courant direct maximal de la diode | 200 | A | |
Électriques Caractéristiques de IGBT à TJ = 25°C (Sauf indication contraire)
| Paramètre | Conditions d'essai | Min | Typ | Max | Unité | ||
| BVCES | Tension de claquage collecteur-émetteur | VGE = 0 V, IC = 1 mA | 650 | V | |||
| ICES | Collecteur-émetteur | VGE = 0 V, VCE = VCES | 1 | mA | |||
| Courant de fuite | |||||||
| IGES | Courant de fuite grille-émetteur | VGE = ±30 V, VCE = 0 V | 200 | nA | |||
| VGE(th) | Tension de seuil de grille | IC = 1 mA, VCE = VGE | 4.5 | 5.5 | V | ||
| TJ = 25 °C | 1.8 | 2 | |||||
| VCE(sat) | Tension de saturation collecteur-émetteur (niveau module) | IC = 100 A, VGE = 15 V | TJ = 125 °C | 2 | V | ||
Caractéristiques de commutation de l’IGBT
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | TJ = 25 °C | 60 | ns | |||
| tr | Temps de montée à l’enclenchement | TJ = 25 °C | 55 | ns | |||
| td(off) | Temps de retard à l’extinction | VCC = 400 V | TJ = 25 °C | 210 | ns | ||
| tf | Temps de chute au désenclenchement | IC = 100 A | TJ = 25 °C | 65 | ns | ||
| Eon | Pertes de commutation à l’enclenchement | RG = 10 Ω | TJ = 25 °C | 1.2 | mJ | ||
| Eoff | Pertes de commutation au désenclenchement | VGE = ±15 V | TJ = 25 °C | 1 | mJ | ||
| Qg | Charge totale de grille | Charge inductive | TJ = 25 °C | 500 | nC | ||
| Rgint | Résistance de grille intégrée | f = 1 M; | TJ = 25 °C | 6.9 | Ω | ||
| Vpp = 1 V | |||||||
| Cies | Capacité d'entrée | TJ = 25 °C | 3.9 | ||||
| VCE = 25 V | |||||||
| Coes | Capacité de sortie | VGE = 0 V | TJ = 25 °C | 0.35 | nF | ||
| Cres | Transfert inverse | f = 1 MHz | TJ = 25 °C | 0.25 | |||
| Capacitance | |||||||
| RθJC | Résistance thermique jonction-boîtier (IGBT) | 0.32 | °C/W | ||||
Caractéristiques électriques et de commutationdu redresseur en roue libre Diode
| VF | TJ = 25 °C | 1.35 | |||||
| Tension directe de la diode | IF = 100 A, | V | |||||
| VGE = 0 V | TJ = 125 °C | 1.2 | |||||
| trr | Temps de récupération inverse de la diode | IF = 100 A, | TJ = 25 °C | 80 | ns | ||
| Irr | Courant de pointe de récupération inverse de la diode | di/dt = 550 A/µs, Vrr = 400 V, | TJ = 25 °C | 30 | A | ||
| Qrr | Charge de récupération inverse de la diode | TJ = 25 °C | 6.2 | µC | |||
| RθJC | Résistance thermique jonction-boîtier (diode) | 0.75 | °C/W | ||||
Caractéristiques du module
Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | |
Viso | Tension d’isolement (toutes les bornes court-circuitées), f = 50 Hz, 1 minute | 2500 |
|
| V |
RθCS | Boîtier-vers-radiateur (graisse conductrice appliquée) |
| 0.1 |
| °C/W |
M | Bornes de puissance : vis M5 | 3.0 |
| 5.0 | N·m |
M | Vis de fixation : M6 | 4.0 |
| 6.0 | N·m |
G | Poids |
| 160 |
| g |
Circuit interne :
Dimensions du boîtier
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
