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YZPST-1N5399
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Diodes encapsulées en plastique DO-15
1N5391 à 1N5399
Diodes redresseuses à usage général
Caractéristiques
IF(AV) 1,5 A
VRRM 50 V-1000 V
Grande capacité de courant d'appel
Polarité : la bande de couleur indique la cathode
Applications
Redresseur
Marquage
1N539X
X : de 1 à 9

Valeurs limites (caractéristiques maximales absolues)
Élément | Symbole | Unité | Conditions d'essai | 1N53 | ||||||
91 | 92 | 93 | 95 | 97 | 98 | 99 | ||||
Tension inverse de crête répétitive | VRRM | V |
| 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
Tension efficace maximale | Veff | V |
| 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 |
Tension de blocage continue maximale | VDC | V |
| 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 |
Courant direct moyen | IF(AV) | A | Onde demi-sinusoïdale 60 Hz, | 1.5 | ||||||
Charge résistive, T_L=75℃ | ||||||||||
Courant direct de surtension (non répétitif) | IFSM | A | Onde demi-sinusoïdale 60 Hz, | 50 | ||||||
1 cycle, Ta=25℃ | ||||||||||
Température de jonction | TJ | ℃ |
| -55 ~ +150 | ||||||
Température de stockage | TSTG | ℃ |
| -55 ~ +150 | ||||||
Caractéristiques électriques (T=25℃ Sauf indication contraire)
Élément | Symbole | Unité | Condition d’essai | Valeur | |
Tension directe de crête maximale | VFM | V | IFM =1,5 A | 1.1 | |
| IRRM1 |
|
| Ta=25℃ | 5 |
Courant inverse de crête maximal | IRRM2 | μA | VRM=VRRM | Ta=100℃ | 50 |
Capacité de jonction typique | CJ | pF | Mesurée à 1 MHz et sous une tension inverse appliquée de 4,0 V c.c. | 20 | |
| RθJ-A |
| Entre la jonction et l’ambiance | 50 | |
Résistance thermique typique | RθJ-L | ℃/W | Entre la jonction et la patte | 25 | |
DO-15dimensions du contour du boîtier

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