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Module IGBT YZPST-GD450HFX170C6S
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Module IGBT
YZPST-450HFX170C6S
1700 V/450 A, 2 composants dans un seul boîtier
Description générale
Le module de puissance IGBT offre des pertes de conduction ultra faibles ainsi qu'une excellente tenue au court-circuit.
faibles pertes de conduction ainsi qu’une excellente tenue au court-circuit.
Ils sont conçus pour des applications telles que
onduleurs généraux et UPS.
Caractéristiques
technologie IGBT trench à faible VCE(sat)
capacité de court-circuit de 10 μs
VCE(sat) avec coefficient de température positif
température de jonction maximale de 175 °C
boîtier à faible inductance
diode antiparallèle FWD à récupération inverse rapide et douce
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Typique Applications
Onduleur pour entraînement de moteur
Amplificateur d’entraînement servo AC et DC
Alimentation sans interruption
IGBT
Symbole | Description | Valeur | Unité |
VCES | Tension collecteur-émetteur | 1700 | V |
VGES | Tension grille-émetteur | ±20 | V |
IC | Courant collecteur @ TC=25oC @ TC= 100oC | 706 450 | A |
ICM | Courant collecteur pulsé tp=1 ms | 900 | A |
PD | Dissipation de puissance maximale @ T =175oC | 2542 | W |
Diode
Symbole | Description | Valeur | Unité |
VRRM | Tension inverse de crête répétitive | 1700 | V |
IF | Courant direct continu de la diode | 450 | A |
IFM | Courant direct maximal de la diode tp=1 ms | 900 | A |
Module
Symbole | Description | Valeur | Unité |
Tjmax | Température de jonction maximale | 175 | oC |
Tjop | Température de jonction de fonctionnement | -40 à +150 | oC |
TSTG | Plage de température de stockage | -40 à +125 | oC |
VISO | Tension d’isolement RMS, f=50 Hz, t=1 min | 4000 | V |
IGBT Caractéristiques TC=25°C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| IC=450A,VGE=15 V, Tj=25oC | 1.85 | 2.2 | ||||
| VCE(sat) | Collecteur à émetteur | IC=450A,VGE=15 V, Tj=125oC | 2.25 | V | ||
| Tension de saturation | IC=450A,VGE=15 V, Tj=150oC | 2.35 | ||||
| VGE(th) | Seuil grille-émetteur Tension | IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
| ICES | Collecteur Coupure-État bloqué | VCE=VCES,VGE=0 V, | 5 | mA | ||
| Courant | Tj=25oC | |||||
| IGES | Courant de fuite grille-émetteur Courant | VGE=VGES,VCE=0 V, Tj=25oC | 400 | nA | ||
| RGint | Résistance interne de grilleance | 1.67 | Ω | |||
| Cies | Capacité d'entrée | VCE=25 V, f=1 MHz, | 54.2 | nF | ||
| Cres | Transfert inverse | VGE=0V | 1.32 | nF | ||
| Capacitance | ||||||
| QG | Charge de grille | VGE=- 15…+15 V | 4.24 | μC | ||
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | 179 | ns | |||
| tr | Temps de montée | 105 | ns | |||
| td(off) | Extinction Temps de retard | VCC=900 V, IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15 V, Tj=25oC | 680 | ns | ||
| tf | Temps de descente | 375 | ns | |||
| Eon | Mise en marche Commutation | 116 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Commutation à l’extinction | 113 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | 208 | ns | |||
| tr | Temps de montée | 120 | ns | |||
| td(off) | Extinction Temps de retard | VCC=900 V, IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15 V, Tj= 125oC | 784 | ns | ||
| tf | Temps de descente | 613 | ns | |||
| Eon | Mise en marche Commutation | 152 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Commutation à l’extinction | 171 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | 208 | ns | |||
| tr | Temps de montée | 120 | ns | |||
| td(off) | Extinction Temps de retard | VCC=900 V, IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15 V, Tj= 150oC | 800 | ns | ||
| tf | Temps de descente | 720 | ns | |||
| Eon | Mise en marche Commutation | 167 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Commutation à l’extinction | 179 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| tP≤10 μs, VGE=15 V, | ||||||
| ISC | Données SC | Tj=150oC, VCC= 1000 V, VCEM≤1700 V | 1800 | A |
Diode Caractéristiques TC=25°C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| Diode directe | IF=450A,VGE=0V,Tj=25oC | 1.8 | 2.25 | |||
| VF | Tension | IF=450A,VGE=0V,Tj= 125oC | 1.95 | V | ||
| IF=450A,VGE=0V,Tj= 150oC | 1.9 | |||||
| Qr | Charge récupérée | VR=900 V, IF=450A, | 105 | μC | ||
| IRM | Crête inverse | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V Tj=25oC | 198 | A | ||
| courant de récupération | ||||||
| Erec | Récupération inverseÉnergie | 69 | mJ | |||
| Qr | Charge récupérée | VR=900 V, IF=450A, | 187 | μC | ||
| IRM | Crête inverse | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V Tj= 125oC | 578 | A | ||
| courant de récupération | ||||||
| Erec | Récupération inverseÉnergie | 129 | mJ | |||
| Qr | Charge récupérée | VR=900 V, IF=450A, | 209 | μC | ||
| IRM | Crête inverse | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15 V Tj= 150oC | 585 | A | ||
| courant de récupération | ||||||
| Erec | Récupération inverseÉnergie | 150 | mJ |
Dimensions du boîtier
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
