



YZPST-DRD5940H55
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Caractéristiques :
- Structure entièrement diffusée
- Capacité élevée aux surtensions
- Recouvrement inverse progressif
- Boîtier céramique hermétique robuste
- Dispositif assemblé sous pression
Applications typiques :
- Redresseur pour applications d'entraînement
- Convertisseurs moyenne tension
- Applications à alimentation pulsée
- Applications Crowbar
VRRM (1) | VRSM (1) |
5500 | 5600 |
VRSM = tension inverse de crête non répétitive (2)
Courant de fuite inverse de crête répétitive | IRRM | 50 mA 600 mA |

Toutes les valeurs nominales sont spécifiées pour Tj = 25 °C, sauf indication contraire.
sauf indication contraire.
(1) Toutes les valeurs nominales de tension sont spécifiées pour une forme d'onde sinusoïdale appliquée
de 50 Hz/60 Hz sur la plage de
température de -40 à +150 °C.
(2) Largeur d'impulsion max. 10 ms
(3) Valeur maximale pour Tj = 150 °C.
(4) Voir la définition du paramètre ci-dessous :
Paramètre | Symbole | Min | Max. | Type | Unités | Conditions |
Valeur moyenne max. du courant en conduction | IF(AV) | 5940 | A | Sinusoïdal, conduction à 180°, Tc=100 °C | ||
Valeur efficace du courant en conduction | IF(RMS) | 9330 | A | Valeur nominale | ||
Surge de crête sur un cycle (courant non répétitif) | IFSM | 93.6 | kA | Tj=150 °C, VR=0 V, tp=10 ms | ||
I carré t | I2t | 43,8×10³ | kA²s | 10 ms | ||
Tension de pointe en conduction | VFM | 1.26 | V | IFM =6000 A ; Tj = Tj max | ||
Tension de seuil | VF0 | 0.8 | V | Tj = Tj max | ||
Résistance de pente | rf | 0.076 | mΩ | Tj = Tj max | ||
Charge de recouvrement inverse (4) | Qrr | 9000 | - | mC | ||
Temps de recouvrement inverse (4) | tRR | - | ms |
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES ET MÉCANIQUES
Paramètre | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions | |
Température de fonctionnement | Tj | 0 | +150 | °C | ||
Température de stockage | Tstg | -40 | +160 | °C | ||
Résistance thermique - jonction vers boîtier | RQ (j-c) | 0.004 | °C/W | Refroidissement double face Refroidissement par une seule face | ||
Résistance thermique - boîtier vers dissipateur | RQ (c-s) | 1 | °C/W | Refroidissement double face Refroidissement par une seule face | ||
Résistance thermique - jonction vers dissipateur | RQ (j-s) |
-
-
| °C/kW | Refroidissement double face Refroidissement par une seule face | ||
Force de montage | P | 110 | 130 | kN | ||
Poids | W | - | kg | environ |

Sym | A | B | C | D | H |
mm | 172 | 110 | 159 | 3.5×3 | 35±1 |
YZPST peut fournir la liste équivalente suivante de diodes standard à jonction élevée(types capsule)
| Type | IF(AV) | IFSM @TVJM&10ms | VRRM | IRRM (max) Tj=125 °C | VFM(max) | Tvj | Rthjc | F±10% | ||
| A | KA | V | mA | IFM (A) | IFM (A) | Tj(°C) | °C | K/W | KN | |
| A640 | 1500 | 16 | 1200-2200 | 35 | 1.09 | 1000 | 25 | 185 | 0.04 | 15 |
| A641 | 1500 | 15 | 1800-2600 | 70 | 1.09 | 1000 | 25 | 185 | 0.04 | 15 |
| A643 | 1000 | 10 | 3600-4600 | 50 | 1.40 | 1000 | 160 | 170 | 0.04 | 15 |
| A740 | 2400 | 30 | 1400-2000 | 50 | 0.86 | 1000 | 160 | 185 | 0.02 | 25 |
| A750 | 1800 | 22 | 2400-3200 | 50 | 0.96 | 1000 | 160 | 175 | 0.02 | 25 |
| A780 | 1500 | 18 | 3500-4600 | 50 | 1.15 | 1000 | 160 | 170 | 0.02 | 25 |
| A800 | 4400 | 63 | 1800-2600 | 100 | 0.865 | 2000 | 160 | 185 | 0.01 | 36 |
| A801 | 3900 | 57 | 2800-3200 | 100 | 1.05 | 2000 | 150 | 175 | 0.01 | 36 |
| A880 | 2900 | 36 | 3600-4500 | 100 | 1.15 | 2000 | 160 | 170 | 0.01 | 36 |
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