YZPST-600B120E53 FF600R12ME4 2MBI600VN-120-50
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-600B120E53
Module de puissance IGBT
ApplicationsOnduleur pour entraînement moteur
Amplificateur d'entraînement servo CA et CC
ASI (alimentation sans interruption)
Caractéristiques
Faible Vce(sat) grâce à la technologie SPT+
Vce(sat) à coefficient de température positif
Inclut une diode antiparallèle FWD à récupération rapide et douce
Forte capacité en court-circuit (10 µs)
Structure de module à faible inductance
Caractéristiques maximales absolues
Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unité |
Tension collecteur-émetteur | VCES | VGE=0V, IC=1mA, Tvj=25℃ | 1200 | V |
Courant collecteur continu | IC | Tc=100℃ | 600 | A |
Courant collecteur de crête | ICRM | ICRM=2IC | 1200 | A |
Tension grille-émetteur | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Dissipation totale de puissance (onduleur IGBT) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 3750 | W |
Caractéristiques de l'IGBT
Paramètre |
Symbole |
Conditions |
Valeur |
Unité | ||
Min. | Typ. | Max. |
| |||
Tension de seuil grille-émetteur | VGE(th) | VGE=VCE,IC=3mA,Tvj=25℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
Courant de coupure collecteur-émetteur |
ICES | VCE=1200 V, VGE=0V, Tvj=25℃ |
|
| 1.0 | mA |
VCE=1200 V, VGE=0V, Tvj=125℃ |
|
| 5.0 | mA | ||
Collecteur-émetteurTension de saturation |
VCE(sat) | Ic=600A,VGE=15V, Tvj=25℃ |
| 1.70 |
| V |
Ic=600A,VGE=15V, Tvj=125℃ |
| 2.00 |
| V | ||
Capacité d'entrée | Cies |
VCE=25V,VGE =0 V, f=1 MHz, Tvj=25℃ |
| 43.1 |
| nF |
Capacité de sortie | Coes |
| 2.25 |
| nF | |
Capacité de transfert inverse | Cres |
| 1.95 |
| nF | |
Résistance interne de grille | Rgint |
|
| 1.25 |
| Ω |
Temps de retard à l’enclenchement | td(on) |
IC=600 A VCE= 600VVGE= ±15 V RG= 1,2 Ω Tvj=25℃ |
| 250 |
| ns |
Temps de montée | tr |
| 88 |
| ns | |
Temps de retard à l’extinction | td(off) |
| 560 |
| ns | |
Temps de descente | tf |
| 131 |
| ns | |
Dissipation d’énergie à l’enclenchement Temps | Eon |
| 33.1 |
| mJ | |
Dissipation d’énergie au déclenchement Temps | Eoff |
| 57.8 |
| mJ | |
Temps de retard à l’enclenchement | td(on) |
IC=600 A VCE = 600 VVGE = ±15 V RG = 1,2 Ω Tvj=125℃ |
| 300 |
| ns |
Temps de montée | tr |
| 102 |
| ns | |
Temps de retard à l’extinction | td(off) |
| 650 |
| ns | |
Temps de descente | tf |
| 180 |
| ns | |
Dissipation d’énergie à l’enclenchement Temps | Eon |
| 50.2 |
| mJ | |
Dissipation d’énergie au déclenchement Temps | Eoff |
| 87.8 |
| mJ | |
Données SC |
Isc | Tp≤10 μs, VGE=15 V,Tvj=150℃,Vcc=600 V, VCEM≤1200 V |
|
2400 |
|
A |
Caractéristiques de la diode
Paramètre |
Symbole |
Conditions |
Valeur |
Unité | ||
Min. | Typ. | Max. |
| |||
Courant direct continu de la diode | IF | Tc=100℃ |
| 600 |
| A |
Courant direct de crête de la diode | IFRM | IFRM=2IF |
| 1200 |
| A |
Tension directe |
VF | IF=600A,Tvj=25℃ |
| 1.65 |
| V |
IF=600A,Tvj=125℃ |
| 1.75 |
| V | ||
Charge récupérée | Qrr |
IF =600 AVR=600V -diF/dt =6000A/µsTvj=25℃ |
| 60.3 |
| µC |
Courant de recouvrement inverse de crête | Irr |
| 415 |
| A | |
Temps de recouvrement inverse | trr |
| 260 |
| ns | |
Énergie de recouvrement inverse | Erec |
| 28.1 |
| mJ | |
Charge récupérée | Qrr |
IF=600 AVR=600V -diF/dt =6000A/µsTvj=125℃ |
| 114 |
| µC |
Courant de recouvrement inverse de crête | Irr |
| 543 |
| A | |
Temps de recouvrement inverse | trr |
| 380 |
| ns | |
Énergie de recouvrement inverse | Erec |
| 51.8 |
| mJ | |
Schéma du circuit
Dimensions du boîtier
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
