YZPST-7N90A0 MOSFET de puissance en silicium canal N à commutation rapide, boîtier TO-263
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
MOSFET de puissance N à canal silicium
P/N: YZPST-7N90A0
Description générale：
Le YZPST-7N90A0 est un VDMOSFET à canal N en silicium à enrichissement, obtenu par la technologie planaire auto-alignée, qui réduit les pertes de conduction, améliore les performances de commutation et augmente l’énergie d’avalanche. Ce transistor peut être utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation des systèmes et un meilleur rendement.Le boîtier est de type TO-263, conforme à la norme RoHS.
Caractéristiques :
Commutation rapide
Faible charge de grille et faible Rdson
Faible capacité de transfert inverse
Test d’énergie d’avalanche à impulsion simple 100 %
Applications：
Circuit de commutation de puissance pour adaptateur et chargeur.
Valeurs absolues （Tc= 25℃ sauf indication contraire）：
| Symbole | Paramètre | Caractéristique | Unités |
| V DSS | Drain vers Source Tension | 900 | V |
| ID | Collecteur continu courant de drain Courant | 7 | A |
| Collecteur continu courant de drain Courant TC = 100 °C | 5 | A | |
| a1 | Pulsé courant de drain Courant | 28 | A |
| IDM | |||
| VGS | Grille vers source Tension | ±30 | V |
| a2 | Simple Largeur Avalanchee Énergie | 700 | mJ |
| EAS | |||
| a1 | Avalanche Énergie , répétitiveve | 60 | mJ |
| EAR | |||
| a1 | Avalanche Courant | 2.4 | A |
| IAR | |||
| dv/dt | Crête Diode récupération dv/dt | 5 | V/ns |
| a3 | |||
| PD | Puissance Dissipation | 160 | W |
| Déclassement Facteur ci-dessus 25 °C | 1.28 | Avec℃ | |
| TJ ，Tstg | En fonctionnement Jonction et Stockage | 150 ，– 55 à 150 | ℃ |
| Température Plage | |||
| TL | Température maximale pour Brasage | 300 | ℃ |
Caractéristiques électriquescs（Tc= 25℃ sauf indication contraire）】【：
| Hors tension Caractéristiques | ||||||
| Symbole | Paramètre | Essai Conditions | Caractéristique | Unités | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| V DSS | courant de drain à Source Claquage | VGS =0 V, I D =250µA | 900 | -- | -- | V |
| Tension | ||||||
| ΔBVDSS/ ΔTJ | Bvdss Température Coefficient | ID=250uA, Référence25℃ | -- | 0.8 | -- | V/℃ |
| VFiche technique = 900V, VGS = 0V, | -- | -- | 1 | |||
| IDSS | courant de drain à Source Fuite Courant | Ta = 25℃ | µ A | |||
| VFiche technique =720V, VGS = 0V, | -- | -- | 250 | |||
| Ta = 125℃ | ||||||
| IGSS( F) | Grille vers Source Direct Fuite | VGS = +30V | -- | -- | 10 | µ A |
| IGSS(R ) | Grille vers Source Temps de Fuite | VGS =- 30V | -- | -- | -10 | µ A |
| MARCHE Caractéristiques | ||||||
| Symbole | Paramètre | Essai Conditions | Caractéristique | Unités | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| RDS(ON) | Drain-source à l’état passant Résistance | VGS =10V, I D =3.0A | -- | 1.4 | 1.8 | Ω |
| VGS(TH ) | Seuil de grille Tension | VFiche technique = VGS, I D = 250µA | 2.5 | -- | 4.5 | V |
| Largeur d’impulsion tp ≤380µs,δ≤2% | ||||||
| Dynamique Caractéristiques | ||||||
| Symbole | Paramètre | Essai Conditions | Caractéristique | Unités | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| gfs | Direct Transconductancece | VFiche technique = 15V, I D =3A | -- | 8 | -- | S |
| Ciss | Entrée Capacitance | -- | 1460 | -- | ||
| Coss | Sortie Capacitance | VGS = 0V VFiche technique = 25V | -- | 130 | -- | pF |
| Crss | Temps de Transfert Capacitance | f = 1.0MHz | -- | 23 | -- | |
| Résistif Commutation Caractéristiques | ||||||
| Symbole | Paramètre | Essai Conditions | Caractéristique | Unités | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| td(ON) | Enclenchement Temps de retard | -- | 22 | -- | ||
| tr | Montée Temps | I D =7.0A V DD = 450 V | -- | 45 | -- | |
| td(OFF ) | Extinction Temps de retard | VGS = 10V RG = 9,1Ω | -- | 33 | -- | ns |
| tf | Temps de chute Temps | -- | 37 | -- | ||
| Qg | Dissipation Grille Charge | -- | 37 | -- | ||
| Qgs | Grille vers Source Charge | I D =7 . 0A V DD =450 V | -- | 8 | -- | nC |
| Qgd | Grille à courant de drain (“ Miller ”)Charge | VGS = 10 V | -- | 14 | -- | |
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
