YZPST-QM3N150C MOSFET canal N 1500 V à commutation rapide

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CENTRE DE DOCUMENTATION

MOSFET à canal N 1500 V

YZPST-QM3N150C

Description générale

Ce MOSFET de puissance est fabriqué à l’aide d’une technologie avancée

de planarit é auto-alignée. Cette technologie avancée

a été spécialement conçue pour minimiser

la résistance à l’état passant, offrir des performances de commutation supérieures

et supporter une forte impulsion d’énergie en

mode avalanche et de commutation.

Ces dispositifs peuvent être utilisés dans divers circuits de commutation de puissance

pour miniaturiser le système et améliorer son efficacité.

Caractéristiques

3 A, 1500 V, RD5(on) typ. = 50 @ VGS = 10 V ld = 1.5 A

Charge de grille faible (37 nC typ.)

Faible capacité de transfert inverse (2,8 pF typ.)

Commutation rapide

testé en avalanche à 100 %

Valeurs maximales absolues Tc=25 °C sauf indication contraire

Symbole	Paramètre		YZPST-QM3N150C	Unités
Voss	Tension drain-source		1500	V
lo	Courant de drain	Continu (Tc=25 °C)	3	A
lo	Courant de drain	Continu (Tc=100 °C)	1.8	A
loM	Courant de drain - impulsionnel (Note 1)		12	A
VGss	Tension grille-source		±30	V
EAS	Énergie d’avalanche impulsionnelle unique (Note 2)		225	mJ
dv/dt	dv/dt de récupération de diode de pointe (Note 3)		5	V/ns
Po	Dissipation de puissance (Tc=25 °C)		32	W
T,Tsts	Plage de température de fonctionnement et de stockage		-55 à +150	℃
Tt	Température maximale des broches pour le soudage à 1/8" du boîtier pendant 5 secondes		300	℃