YZPST-RGN65C035
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Réf. :YZPST-RGN65C035
FET Super-GaN 650 V en TO-247
Caractéristiques
● Facile à piloter — compatible avec des pilotes de grille standard
● Faibles pertes de conduction et de commutation
● Faible Qrr de 175 nC — aucune diode de roue libre requise
● Le brochage GSD améliore la conception haute vitesse
● Technologie GaN qualifiée JEDEC
● Conforme RoHS et sans halogène
Avantages
● Efficacité accrue grâce à une commutation rapide
● Densité de puissance accrue
● Taille et poids du système réduits
● Permet des topologies plus efficaces — conception totem-pole sans pont facile à mettre en œuvre
● Coût de nomenclature réduit
Applications
● Énergies renouvelables
● Industrie
● Automobile
● Télécom et datacom
● Servomoteurs
Spécifications clés | |
VDS (V) min | 650 |
VTDS (V) max | 800 |
RDS(on) (mΩ) max | 41 |
Qrr (nC) typ | 175 |
Qg (nC) typ | 28 |
Valeurs maximales absolues (TC = 25 °C sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Valeur limite | Unité |
ID25°C | Courant de drain continu à TC = 25 °C a | 50 | A |
ID100°C | Courant de drain continu à TC = 100 °C a | 31.5 | A |
IDM | Courant de drain pulsé (largeur d’impulsion : 10 µs) | 240 | A |
VDSS | Tension drain-source | 650 | V |
VTDS | Tension transitoire drain-source b | 800 | V |
VGSS | Tension grille-source | ±18 | V |
PD25 °C | Dissipation de puissance maximale | 178 | W |
TJ | Température de jonction en fonctionnement | -55 à +150 | °C |
TS | Température de stockage | -55 à +150 | °C |
TCSOLD | Température de crête de soudure c | 260 | °C |
Résistance thermique
Symbole | Paramètre | Typique | Unité |
RΘJC | jonction-boîtier | 0.7 | °C/W |
RΘJA | Jonction-ambiante | 40 | °C/W |
Circuits et formes d’onde d’essai
Mécaniques
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
