transistors de puissance au silicium complémentaires 2N3055/MJ2955
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
DESCRIPTION
Le 2N3055 est un transistor NPN planaire à base épitaxiée en silicium, monté dans un boîtier métallique JEDEC TO-3.
Il est destiné aux circuits de commutation de puissance, aux régulateurs série et shunt, aux étages de sortie et aux amplificateurs haute fidélité.
Le type PNP complémentaire est le MJ2955.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 OC)
Paramètre | l | Valeur | Unité |
Tension collecteur-base | VCBO | 100 | V |
Tension collecteur-émetteur | VCEO | 60 | V |
Tension émetteur-base | VEBO | 7 | V |
Courant collecteur | IC | 15 | A |
Courant de base | IB | 7 | A |
Dissipation totale à | Ptot | 115 | W |
Température maximale de jonction en fonctionnement | Tj | 150 | oC |
Température de stockage | Tstg | 0 | oC |
ELECTRICAL CHARCATERISTICS ( Ta = 25 OC)
Paramètre | Symbole | Essai Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
Courant de coupure du collecteur | ICEO | VCE=50V, IB=0 | — | — | 0.7 | mA |
Courant de coupure de l’émetteur | IEBO | VEB=7V, IC=0 | — | — | 5.0 | mA |
Tension de tenue collecteur-émetteur | VCEO | IC=100mA, IB=0 | 60 | — | — | V |
Gain en courant continu | hFE(1) | VCE=4.0V, IC=4.0A | 30 | — | 70 |
|
hFE(2) | VCE=4.0V, IC10A | 15 | — |
|
| |
Tension de saturation collecteur-émetteur | VCE(sat) | IC=4.0A,IB=400mA | — | — | 1.0 |
V |
IC=10A,IB=3.3A | — | — | 3.0 | |||
Tension de conduction base-émetteur | VBE(on) | VCE=4V,IC=4.0A | — | — | 1.8 | V |
Produit gain-bande du courant | fT | VCE=4,0V, IC=500 mA | — | 3.0 | — | MHz |
Pour plus d’informations sur2N3055/MJ2955veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé « 2N3055-MJ2955-E PST »
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
