VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
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COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-BTW69-1200
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thyristors SCR YZPST-BTW69-1200
Densité de courant élevée grâce à la technologie à double mesa.
série de redresseurs contrôlés au silicium TO-P3 (isolés)
sont spécialement conçus pour les applications de commutation de forte puissance et de commande de phase.
série convient aux applications générales lorsqu’une sensibilité de gâchette élevée est requise.
assure une tension d’isolement de 2500 V RMS entre les trois bornes et le dissipateur externe.
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
| Symbole | Valeur | Unité |
| IT(RMS) | 50 | A |
| IGT | ≤80 | mA |
| VTM | ≤1.8 | V |
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité | |
| Plage de température de jonction de stockage | Tstg | -40 à +150 | ℃ | |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | Tj | -40 à +125 | ℃ | |
| Tension de blocage à l’état bloqué répétitive de crête Tj=25℃ Tension inverse de crête répétitive Tj=25℃ | VDRM VRRM | V | ||
| BTW69-1200 | 1200 | |||
| Courant efficace à l’état passant (tous angles de conduction) | TO-P3 Tc=80℃ | IT(RMS) | 50 | A |
| Courant moyen à l’état passant (demi-onde sinusoïdale) | TO-P3 Tc=80℃ | IT(AV) | 40 | A |
| Courant de crête non répétitif de surtension à l’état passant (demi-cycle sinusoïdal, Tj=25℃) | f=50 Hz t=10ms | ITSM | 520 | A |
| f=60 Hz t=8.3ms | 540 | |||
| Valeur I²t pour le fusible | tp=10 ms | I²t | 1350 | A²s |
| Taux de montée répétitif du courant à l’état passant après déclenchement ITM=20A IG=50mA dlc/dt 50mA/ms | dl/dt | 150 | Aμs | |
| Courant de grille de crête tp=20us,Tj=125℃ | IGM | 1.5 | A | |
| Puissance de grille de crête tp=20us,Tj=125℃ | PGM | 10 | W | |
| Dissipation moyenne de puissance de grille Tj=125℃ | PG(AV) | 2 | W | |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
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