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YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-2MBI150XAA-120-50（YZPST-150HF120TK-G1）
Module IGBT 150 A 1200 V
CARACTÉRISTIQUES
Forte capacité de court-circuit, courant de court-circuit auto-limité
Puce IGBT (technologie Trench + Field Stop)
VCE(sat) avec coefficient de température positif
Commutation rapide, faibles pertes de commutation
Diodes de roue libre avec recouvrement inverse rapide et souple
APPLICATIONS
Application de commutation haute fréquence
convertisseurs de soudage
Commande de mouvement/servo
Systèmes UPS
MAXIMALES ABSOLUES CARACTÉRISTIQUES DE RÉFÉRENCE Tc=25ec sauf indication contraire indiquée
Symbole |
| Paramètre | Conditions d'essai | Valeurs | Unité |
IGBT | |||||
VCES |
| Tension collecteur - émetteur | TVj=25°C | 1250 | V |
VGES |
| Grille - émetteur |
| ±30 | V |
IC |
| Collecteur CC Courant | TC=25°C | 230 | A |
| TC=80°C | 150 | A | ||
ICM |
| Répétitif Courant collecteur de crête | tp=1 ms | 200 | A |
Ptot |
| Puissance Dissipation Par IGBT |
| 694 | W |
Diode | |||||
VRRM |
| Répétitif Tension inversetage | TVj=25°C | 1250 | V |
IF(AV) |
| Courant moyen Courant direct | TC=25°C | 150 | A |
| TC=80°C | 100 | A | ||
IFRM |
| Répétitif Crête Courant direct | tp=1 ms | 200 | A |
BOÎTIER SCHÉMA
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
