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YZPST-BTA26-800B TRIAC BTA26 800 V en boîtier TO-3PA, marque YZPST
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Triacs de la série BTA26/BTB26 26 A
Triac BTA26-800B TO-3PA de marque YZPST 800 V
DESCRIPTION :
Grâce à leur grande capacité à supporter les chocs de forts courants, les triacs de la série BTA26/BTB26 offrent une forte tenue au dv/dt et une excellente immunité aux interférences électromagnétiques. Grâce à leurs performances de commutation élevées, les produits à 3 quadrants sont particulièrement recommandés pour les charges inductives. Avec une liaison de tous les trois terminaux au dissipateur thermique externe, le BTA26 offre une tension d’isolement assignée de 2500 Veff conforme aux normes UL
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES :
symbole | valeur | unité |
IT(RMS) | 26 | A |
VDRM/VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
CARACTÉRISTIQUES ABSOLUES MAXIMALES :
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Plage de température de jonction de stockage | Tstg | -40~150 | ℃ |
Plage de température de jonction de fonctionnement | Tj | -40~125 | ℃ |
Tension de blocage répétitive de crête à l’état bloqué (Tj=25℃) | VDRM | 600/800/1200/1600 | V |
Tension inverse répétitive de crête (Tj=25℃) | VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
Courant efficace à l’état passant | IT(RMS) | 26 | A |
Courant de crête non répétitif de surintensité à l’état passant (cycle complet, F=50 Hz) |
ITSM |
260 |
A |
Valeur I2t pour le fusible (tp=10 ms) | I2t | 350 | A²s |
Taux critique d’augmentation du courant en conduction (IG=2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Courant de crête de grille | IGM | 4 | A |
Dissipation de puissance moyenne de gâchette | PG(AV) | 1 | W |
Puissance de crête de gâchette | PGM | 10 | W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tj=25℃ sauf indication contraire)
3 quadrants：
| Paramètre | Valeur | |||||
| Condition d’essai | Quadrant | CW | BW | Unité | ||
| IGT | VD=12 V, | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33 Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 60 | 80 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 70 | 90 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 80 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Porte ouverte | ||||||
| dV/dt | MIN | 1000 | 1500 | V/ µs | ||
4 quadrants：
| Paramètre | Valeur | |||||
| Condition d’essai | Quadrant | C | B | Unité | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12 V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33 Ω | TOUT | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | TOUT | MIN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 60 | 75 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 70 | 80 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 90 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Porte ouverte | ||||||
| dV/dt | MIN | 200 | 500 | V/ µs | ||
CARACTÉRISTIQUES STATIQUES
| Symbole | Condition d’essai | Valeur | Unité | ||
| VTM | ITM=35A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25℃ | 10 | µA | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | MAX | 3 | mA |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
