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YZPST-BTA208X-600E
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Série BTA208 triacs 8 A
YZPST-BTA208X-600E
DESCRIPTION :
Dotés d’une grande capacité à supporter les chocs de courant importants, les triacs de la série BTA208 offrent un dv/dt élevé
et une forte résistance aux interférences électromagnétiques.
Avec d’excellentes performances de commutation, les produits à 3 quadrants
sont particulièrement recommandés pour les charges inductives.
De toutes les trois bornes vers le dissipateur thermique externe,
le BTA208 offre une tension d’isolement nominale de 2500 VRMS
Le BTA208 offre une tension d’isolement nominale de 2500 VRM
conforme aux normes UL (réf. dossier : E516503).
PRINCIPALES CARACTÉRISTIQUES :
symbole | valeur | unité |
IT(RMS) | 8 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
MAXIMALES ABSOLUES CARACTÉRISTIQUES NOMINALES :
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
ITSM | Pic de surtension non répétitif en régime établi Courant (tp=10 ms) | 80 | A |
I2t | (tp=10 ms) | 32 | A2S |
dI/dt | IG=2IGT，tr≤100 ns, Tj=125 ℃ | 50 | A/μs |
IGM | Courant de crête de gâchette (tp=20 µs) | 2 | A |
PG(AV) | Puissance moyenne de gâchette | 1=0,5 | W |
Tstg Tj | Température de stockage Température de jonction en fonctionnement | -40--+125 -40--+125 | ℃ |
Viso | CA RMS appliqué pendant 1 minute entre la patte et le boîtier |
1800 |
V |
Valeur I2t pour le fusible (tp=10 ms) | I2t | 32 | A²s |
Taux critique d’augmentation du courant à l’état passant (IG=2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Courant de crête de grille | IGM | 4 | A |
Dissipation de puissance moyenne de gâchette | PG(AV) | 1 | W |
Puissance de crête de gâchette | PGM | 5 | W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tj=25℃ sauf indication contraire)
| Paramètre | Valeur | |||||||
| Condition d’essai | Quadrant | TW | SW | CW | BW | Unité | ||
| IGT | VD=12 V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33 Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0.2 | V | |||
| IH | IT=100mA | MAX | 10 | 20 | 40 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 20 | 25 | 50 | 70 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 25 | 35 | 70 | 90 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Porte ouverte | ||||||||
| dV/dt | MIN | 50 | 200 | 500 | 1000 | V/ µs | ||
| Ⅱ |
| 70 | 90 |
| |
dV/dt | VD=2/3VDRM Tj=125 ℃ gâchette ouverte |
MIN |
200 |
500 |
V/µs | |
CARACTÉRISTIQUES STATIQUES
| Symbole | Condition d’essai | Valeur | Unité | ||
| VTM | ITM=11 A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| IDRM | Tj=25℃ | 5 | µA | ||
| IRRM | VDRM= VRRM | Tj= 125℃ | MAX | 1 | mA |
BOÎTIER DONNÉES MÉCANIQUES
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
