YZPST-BTA24-800CW
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Triacs série BTA24/BTB24 25 A
TRIAC BTA24-800CW 800 V à forte tenue
YZPST-BTA24-800CW
DESCRIPTION :
Grâce à leur grande capacité à supporter les chocs de forts courants, les triacs des séries BTA24/BTB24 offrent un excellent taux dv/dt et une forte immunité aux interférences électromagnétiques.
Avec d’excellentes performances de commutation, les produits à 3 quadrants sont particulièrement recommandés pour les charges inductives. Grâce à l’isolation entre les trois bornes et le dissipateur externe, le BTA24 offre une tension d’isolement nominale de 2500 Veff conformément aux normes UL.
PRINCIPALES CARACTÉRISTIQUES :
symbole | valeur | unité |
IT(RMS) | 25 | A |
VDRM/VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
MAXIMALES ABSOLUES CARACTÉRISTIQUES NOMINALES :
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Plage de température de jonction de stockage | Tstg | -40~150 | ℃ |
Plage de température de jonction de fonctionnement | Tj | -40~125 | ℃ |
Tension de blocage répétitive de crête à l’état bloqué (Tj=25℃) | VDRM | 600/800/1200/1600 | V |
Tension inverse répétitive de crête (Tj=25℃) | VRRM | 600/800/1200/1600 | V |
Courant efficace à l’état passant | IT(RMS) | 25 | A |
Courant de crête non répétitif de surintensité à l’état passant (cycle complet, F=50 Hz) |
ITSM |
250 |
A |
Valeur I2t pour le fusible (tp=10 ms) | I2t | 340 | A²s |
Taux critique d’augmentation du courant en conduction (IG=2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Courant de crête de grille | IGM | 4 | A |
Dissipation de puissance moyenne de gâchette | PG(AV) | 1 | W |
Puissance de crête de gâchette | PGM | 10 | W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tj=25℃ sauf indication contraire)
3 quadrants：
| Paramètre | Valeur | |||||
| Condition d’essai | Quadrant | CW | BW | Unité | ||
| IGT | VD=12 V, | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33 Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.3 | V | |
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 60 | 80 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 70 | 90 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 80 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Porte ouverte | ||||||
| dV/dt | MIN | 1000 | 1500 | V/ µs | ||
4 quadrants：
| Paramètre | Valeur | |||||
| Condition d’essai | Quadrant | C | B | Unité | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12 V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33 Ω | TOUT | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | TOUT | MIN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 60 | 75 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | 70 | 80 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 90 | 100 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Porte ouverte | ||||||
| dV/dt | MIN | 200 | 500 | V/ µs | ||
THERMIQUES RÉSISTANCES
| Symbole | Condition d’essai | Valeur | Unité | |
| TO-220A (isolé） | 1.5 | |||
| TO-220F (isolé） | 1.6 | |||
| TO-263 | 2.1 | ℃/W | ||
| Rth(j-c) | jonction à boîtier(CA) | TO-3P | 0.68 | |
DONNÉES MÉCANIQUES DU BOÎTIER
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
