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YZPST-M1A045170L
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
P/N : YZPST-M1A045170L
MOSFET de puissance en carbure de silicium
(mode d’enrichissement à canal N)
Caractéristiques
Commutation à grande vitesse avec faibles capacités
Haute tension de blocage avec faible résistance à l’état passant
Facile à mettre en parallèle et simple à piloter
Résistant au latch-up
Sans halogène, conforme RoHS
Avantages
Rendement système supérieur
Besoins de refroidissement réduits
Densité de puissance accrue
Fréquence de commutation du système accrue
Applications
Onduleurs solaires
Alimentations à découpage
Convertisseurs DC/DC haute tension
Commande de moteur

Partie Nombre | Boîtier | Marquage |
M1A045170L | TO-247-4L | M1A045170L |
Maximum Valeurs (Tc = 25°C sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions d'essai | Remarque |
| VDSmax | Tension drain-source | 1700 | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |
| VGSmax | Tension grille-source | -0.4 | V | Valeurs maximales absolues | |
| VGSop | Tension grille-source | -0.25 | V | Valeurs de fonctionnement recommandées | |
| ID | Courant de drain continu | 85 | A | VGS = 20 V, TC = 25°C | |
| 55 | VGS = 20 V, TC = 100°C | ||||
| ID(pulsé) | Courant de drain pulsé | 160 | A | Largeur d’impulsion tP limitée par Tjmax | |
| PD | Dissipation de puissance | 520 | W | TC =25°C, TJ =150℃ | |
| TJ, Tstg | Température de jonction en fonctionnement et de stockage | -55 à 175 | ℃ | ||
| TL | Température de soudure | 260 | ℃ | 1,6 mm (0,063") du boîtier pendant 10 s | |
| Md | Couple de montage | 1 | Nn | Vis M3 ou 6-32 | |
| 8.8 | lbf-in |
Caractéristique électriques(Tc = 25°C sauf indication contraire spécifié)
| Symbole | Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | Conditions d'essai | Remarque | |
| V(BR)DSS | Drain Drain-source | 1700 | - | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |||
| Tension de claquage | ||||||||
| 2 | 2.6 | 4 | V | VDS = VGS, ID = 18 mA | ||||
| VGS(th) | Tension de seuil de grille | 1.9 | V | VDS = VGS, ID = 18 mA, TJ =150°C | ||||
| IDSS | Courant de drain à tension de grille nulle | 2 | 100 | μA | VDS = 1700 V, VGS = 0 V | |||
| IGSS | Fuite grille-source | 2 | uA | VGS = 20 V, VDS = 0 V | ||||
| Courant | ||||||||
| Drain-source | 34 | 60 | mΩ | VGS = 20 V, ID = 50 A | ||||
| RDSON | Résistance à l’état passant | 66 | VGS = 20 V, ID = 50 A, TJ =150°C | |||||
| gfs | Transconductance | 16 | VGS = 20 V, ID = 50A | |||||
| 19 | S | VGS = 20 V, ID = 50 A, TJ =150°C | ||||||
| C | Capacité d'entrée | 4078 | ||||||
| oss | Capacité de sortie | 167 | ||||||
| rss | Capacité inverse | 39 | pF | VDS =1000V,TJ=25°C,f=1MHz | ||||
| Eoss | Énergie stockée Coss | 203 | μJ | |||||
| Eon | Énergie de commutation à l’enclenchement | 1.9 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A, Rg(ext) = 2.5Ω, | |||||
| Eoff | Énergie de commutation au blocage | 0.3 | mJ | TJ=150°C | ||||
| tdon | Temps de retard à l’enclenchement | 21 | ||||||
| tr | Temps de montée | 46 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A, Rg(ext)= 2.5Ω | |||||
| tdoff | Temps de retard au blocage | 50 | ||||||
| tf | Temps de chute | 19 | ns | |||||
| Rgint | Résistance interne de grille | 2.6 | VAC =25mV, f=1MHz | |||||
| Qgs | Charge grille-source | 44 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A | |||||
| Qgd | Charge grille-drain | 84 | ||||||
| Qg | Charge totale de grille | 248 | nC |
Caractéristique électriques (Tc = 25°C sauf indication spécifié)
| Symbole | Paramètre | Min. | Typ. | Max. | Unité | Conditions d'essai | Remarque |
| VSD | Diode Tension directe | 6.1 | - | V | VGS = -5 V, ISD = 25 A | ||
| 5.2 | VGS = -5 V, ISD = 25 A,TJ =150°C | ||||||
| I | Collecteur continu Diode Avantdirect Courant | 75 | A | VGS = -5V, Tc=25°C | |||
| S | |||||||
| trr | Temps de Temps de récupération | 126 | ns | VR= 1200 V, VGS = -5V, ID = 50 A, di/dt=1400A/μS,, TJ=150°C | |||
| Qrr | Temps de Charge de recouvrement | 1360 | nC | ||||
| Irrm | Crête Temps de récupération Courant | 19 | A |

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