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YZPST-2N3904
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Transistors encapsulés en plastique TO-92
YZPST-2N3904 TRANSISTOR (NPN)
CARACTÉRISTIQUES
Transistor planaire épitaxial en silicium NPN pour applications de commutation et
d’amplification
En type complémentaire, le transistor PNP 2N3906 est
Recommandé
Ce transistor est également disponible en boîtier SOT-23 sous
la référence MMBT3904
INFORMATIONS DE COMMANDE
Partie Nombre | Boîtiere | Conditionnement Méthode | Emballage Quantité |
2N3904 | T0-92 | En vrac | 1000 pièces/sac |
2N3904-TA | T0-92 | Ruban | 2000 pièces/boîte |
CARACTÉRISTIQUES MAXIMALES (Ta=25 °C sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCB0 | Tension collecteur-base | 60 | V |
| VCE0 | Tension collecteur-émetteur | 40 | V |
| VEB0 | Tension émetteur-base | 6 | V |
| C | Courant collecteur continu | 0.2 | A |
| PC | Dissipation de puissance du collecteur | 0.625 | W |
| TJ,Tstg | Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage | -205 | C |
=25 °C sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Essai | Min | Typ | Max | Unité |
| conditions | ||||||
| Collecteur-base | V(BR)CBO | IC=10ΚA, IE=0 | 60 | V | ||
| claquage | ||||||
| tension | ||||||
| Collecteur-émetteur | V(BR)CEO | IC= 1mA , IB=0 | 40 | V | ||
| claquage | ||||||
| tension | ||||||
| Émetteur-base | V(BR)EBO | IE= 10ΚA, IC=0 | 6 | V | ||
| claquage | ||||||
| tension | ||||||
| Coupure collecteur | ICBO | VCB=60V, IE=0 | 0.1 | UA | ||
| courant | ||||||
| Collecteur | ICEX | VCE=30 V, VEB(off)=3 V | 0.05 | UA | ||
| coupure | ||||||
| courant | ||||||
| Émetteur | IEBO | VEB= 5V, IC=0 | 0.1 | UA | ||
| coupure | ||||||
| courant | ||||||
| FE1 | VCE=1 V, IC=10 mA | 100 | 400 | |||
| CC | ||||||
| courant | FE2 | VCE=1 V, IC=50 mA | 60 | |||
| gain | FE3 | VCE=1 V, IC=100 mA | 30 | |||
| Collecteur-émetteur | VCE(sat) | IC=50 mA, IB=5 mA | 0.3 | V | ||
| saturation | ||||||
| tension | ||||||
| base-émetteur | VBE(sat) | IC=50 mA, IB=5 mA | 0.95 | V | ||
| saturation | ||||||
| tension | ||||||
| Transition | T | VCE=20 V, IC=10 mA, f=100 MHz | 300 | MHz | ||
| fréquence | ||||||
| retard | td | VCC=3 V, VBE=0,5 V, | 35 | ns | ||
| Temps | IC=10 mA, IB1=1 mA | |||||
| Montée | tr | 35 | ns | |||
| Temps | ||||||
| de stockage | ts | VCC=3 V, IC=10 mA | 200 | ns | ||
| Temps | IB1=IB2=1 mA | |||||
| chute | tf | 50 | ns | |||
| Temps |
SchémaDimensions
| Symbole | Dimensions | Dimensions | ||
| n | po | |||
| millimètres | pouces | |||
| Min | Max | Min | Max | |
| A | 3.3 | 3.7 | 0.13 | 0.146 |
| A1 | 1.1 | 1.4 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.38 | 0.55 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.36 | 0.51 | 0.014 | 0.02 |
| D | 4.3 | 4.7 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.43 | 0.135 | ||
| E | 4.3 | 4.7 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 typ. | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.44 | 2.64 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.1 | 14.5 | 0.555 | 0.571 |
| K | 1.6 | 0.063 | ||
| h | 0 | 0.38 | 0 | 0.015 |
Pour plus d’informations surYZPST-2N3904veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé « YZPST-2N3904 TO92"
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
