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YZPST-BTA40-800B TG40C80 TRIAC moulé isolé à forte capacité de courant d’appel 400 A
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-BTA40-800B TG40C80
Triac isolé moulé TG40C80 à forte capacité de surtension 400 A
TG40C/E/D sont des triacs moulés isolés
convient à un large éventail d’applications telles que
photocopieurs, fours à micro-ondes, interrupteurs statiques,
commande de moteur, commande d’éclairage et de chauffage
de chauffage.
IT AV 40A
Capacité de surtension élevée 400A
Montage isolé AC2500V
Bornes à languette


Caractéristiques maximales
Symbole | Élément | Conditions | Valeurs | Unité |
IT RMS | Courant efficace à l’état passant | Tc | 40 | A |
ITSM | Courant de surcharge à l’état passant | Une période, 50 Hz/, crête, non répétitif | 400 | A |
I2t | I2t | Valeur pour une période du courant de surtension | 880 | A2S |
PGM | Dissipation de puissance de crête de la gâchette |
| 10 | W |
PG AV | Dissipation de puissance moyenne de la gâchette |
| 1 | W |
IGM | Courant de crête de gâchette |
| 8 | A |
VGM | Tension de grille de crête |
| 10 | V |
di/dt | Taux critique d’élévation du courant à l’état passant | IG=100mA,Tj=25 VD=1/2VDRM dIG/dt=1A/μS | 50 | A/μS |
Tj | Température de jonction de fonctionnement |
| -25~+125 | ℃ |
Tstg | Température de stockage |
| -40~+125 | ℃ |
VISO | Tension de claquage d’isolement R.M.S. | C.A. 1 minute | 2500 | V |
| Couple de montage M4 | Valeur recommandée 1,0 ~1.4(10~14) | 14 | kgf.cm |
Caractéristiques maximales
Tj=25 sauf indication contraire
Symbole | Élément | Valeurs | Unité | |||
TG40C60 | TG40C80 | TG40C100 | TG40C12 | V | ||
VDRM | Tension de crête répétitive à l’état bloqué | 600 | 800 | 1000 | 1200 | V |
Caractéristiques électriques
Symbole | Élément | Conditions | Valeurs | Unité | |
IDRM | Courant de crête répétitif à l’état bloqué, max | VD=VDRM, monophasé, demi-onde, Tj=125℃ | 5 | mA | |
VTM | Tension de crête à l’état passant, max | Courant à l’état passant Courant à l’état passant √2X IT (RMS), mesure instantanée | 1.55 | V | |
I GT1 + | 1 | Courant de déclenchement de gâchette, max | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | mA |
I GT1 - | 2 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | mA | |
I GT3 + | 3 |
| - | mA | |
I GT3 + | 4 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 50 | mA | |
V GT1+ | 1 | Tension de déclenchement de gâchette, max | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 | V |
V GT1- | 2 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 | V | |
V GT3+ | 3 |
| - | V | |
V GT3- | 4 | Tj =25℃, IT=1A, VD=6V | 3 |
| |
VGD | Tension de grille sans déclenchement, min. | Tj =25℃, VD=1/2VRRM | 0.2 | V | |
tgt | Temps d'allumage, max. | IT=(RMS),IG=100mA,VD=1/2VDRM,Tj=25℃,dIG/dt=1A/μS | 10 | V | |
dv/dt | Vitesse critique de montée de la tension à l'état passant, min. | Tj=25℃,VD=2/3VDRM Onde exponentielle. | 500 | V/μS | |
(dv/dt) c | Vitesse critique de montée de la tension à l'état bloqué à la commutation, min. | Tj=25℃,VD=2/3VDRM di/dtc=15A/μS | 5 | V/μS | |
IH | Courant de maintien, typ. | Tj =25℃ | 60 | mA | |
Rth(j-c) | Impédance thermique, max. | Jonction-boîtier | 0.9 | ℃/W | |
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