YZPST-M2G0080120D

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MOSFET de puissance en carbure de silicium N canal 1200 V, MOSFET SiC

Caractéristiques
Boîtier optimisé avec broche source de commande séparée
Tension de blocage élevée avec faible résistance à l’état passant
Commutation rapide avec faibles capacités
Diode intrinsèque rapide avec faible recouvrement inverse (Qrr)
Facile à mettre en parallèle
Conforme RoHS
Avantages
Rendement système supérieur
Réduit les besoins de refroidissement
Densité de puissance accrue
Permet une fréquence plus élevée
Réduit au minimum l’oscillation de grille
Réduction de la complexité et du coût du système
Applications
Alimentations à découpage
Convertisseurs CC/CC
Onduleurs solaires
Chargeurs de batterie
Variateurs de moteur
MOSFET de puissance

Caractéristiques maximales(Tc = 25 °C sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité	Conditions d'essai	Remarque
f^DSmax	Tension de claquage drain-source	1200	V	mer= 0 V, /d=100 卩A
Id	Courant de drain continu	42	A	4s=20 V Tc=25 °C	Fig. 18
Pd	Dissipation de puissance	208	W	*=25 °C	Fig. 19
FgS,op	Tension grille-source recommandée	-0.25	V
J^Smax	Tension grille-source maximale	-0.4	V	AC (f>lHz)	Note 1
Tj, Tstg	Plage de température de jonction et de stockage en fonctionnement	de -55 à	°C
Tj, Tstg		175	°C
7l	Température de soudage	260	°C

Caractéristiques électriques

Symbole	Paramètre	Min.	Typ.	Max.	Unité	Conditions d'essai	Remarque
Statique
BVds	Tension de claquage drain-source	1200	-	-	V	4s=0 V, Zd=100 卩A
A)ss	Courant de drain à tension grille-source nulle	—	11	100		丹s=1200 V Pgs=0 V
Igss	Fuite grille-source	—	10	250	nA	4s=20 V
FGS(th)	Tension de seuil grille-source	2	—	4	V	Id=5 mA,	Fig. 11
&DS(on)	Résistance à l'état passant drain-source	—	78	100	mQ	国=20 V, Zd=20 A	Fig. 6
Dynamique
Ciss	Capacité d'entrée	—	1128		PF	4s=0 V,比s=1000 V	Fig. 17
C^oss	Capacité de sortie	—	86			f^l.OMHz,瓜=25 mV
Crss	Capacité de transfert inverse	—	5
Eoss	Énergie stockée Coss	-	44		卩J		Fig. 16
Qs	Charge totale de grille	—	52		nC	moo V	Fig. 12
figs	Charge grille-source	-	17			血=20 A
Qgd	Charge grille-drain	-	15			Fgs=-5/+20 V
td(cn)	Temps de retard à l’enclenchement	—	41		ns	丹 s=800 V
tr	Temps de montée à l’allumage	-	21			Fgs=-5/+20 V
	Temps de retard à l’extinction	—	48			Id=20A
tf	Temps de chute au blocage	—	16			Ro(ext)=2.5 Q
RG(int)	Résistance interne de grille	-	4		n	E.O MHz, Vac=25 mV

Caractéristiques de la diode de corps, à Tj=25 °C, sauf indication contraire

Symbole	Paramètre	Min.	Typ.	Max.	Unité	Conditions d'essai	Remarque
Is	Courant direct continu de la diode	-	-	42	A		Note 1
	Tension directe de la diode	-	4	-	V	Kjs=0 V, Zs=10 A	Fig. 8,
	Tension directe de la diode	-	4	-	V	Kjs=0 V, Zs=10 A	9,10
trr	Temps de recouvrement inverse	-	26	-	ns	1s=20 A,既)s=800 V
0r	Charge de recouvrement inverse	-	163	-	nC	%s=・5 V	Note 1
Zrrm	Courant de recouvrement inverse de crête		12		A	di/dt=2100 A/us