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YZPST-D100H065AT1S3
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Tranchée IGBT à technologie Field-Stop
YZPST-D100H065AT1S3
Caractéristiques
650V, 100A
VCE(sat)(typ.) =1,75V@VGE=15V, IC=100A
Température maximale de jonction 175
Placage des broches sans plomb ; conforme RoHS
Applications
Convertisseurs solaires
Alimentation sans interruption
Convertisseurs de soudage
Convertisseurs à fréquence de commutation moyenne à élevée
Caractéristiques Performances et Page Paramètres
Codes de commande | VCE | IC | VCEsat, Tvj=25 | Tvjmax | Marquage | Boîtier |
D100H065AT1S3 | 650V | 100A | 1,75V | 175 ℃ | D100H65AT1 | TO247-3L |
Valeur absolue maximale Valeurs
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCES | Tension collecteur-émetteur | 650 | V |
| VGES | Tension grille-émetteur | ±20 | V |
| IC | Courant collecteur continu (TC=25 ℃) | 125 | A |
| Courant collecteur continu (TC=100 ℃) | 100 | A | |
| ICM | Courant collecteur pulsé (Note 1) | 200 | A |
| Courant direct de la diode (TC=25 ℃) | 125 | A | |
| IF | Courant direct de la diode (TC=100 ℃) | 100 | A |
| Dissipation de puissance maximale (TC=25 ℃) | 385 | W | |
| PD | Dissipation de puissance maximale (TC=100 ℃) | 192 | W |
| TJ | Plage de température de jonction en fonctionnement | -40 à 175 | ℃ |
| TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
Caractéristiques électriques (Tc=25 sauf indication contraire.)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| BVCES | Collecteur-émetteur | VGE=0V, IC=200uA | 650 | V | ||
| Tension de claquage | --- | --- | ||||
| ICES | Courant de fuite collecteur-émetteur | VCE=650V, VGE=0V | 1 | mA | ||
| --- | --- | |||||
| Courant de fuite de grille, direct | VGE=20V, VCE=0V | 600 | nA | |||
| --- | --- | |||||
| IGES | Courant de fuite de grille, inverse | VGE=-20V, VCE=0V | 600 | nA | ||
| --- | --- | |||||
| VGE(th) | Tension de seuil de grille | VGE=VCE, IC=750uA | 4.2 | --- | 6 | V |
| VCE(sat) | Collecteur-émetteur | VGE=15V, IC=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.75 | 2.2 | V |
| Tension de saturation | VGE=15V, IC=100A, Tj=125 ℃ | --- | 2.05 | --- | V | |
| td(on) | Temps de retard à l’enclenchement | --- | 35 | --- | ns | |
| tr | Temps de montée à l’enclenchement | VCC=400V | --- | 155 | --- | ns |
| td(off) | Temps de retard à l’extinction | VGE=±15V | --- | 188 | --- | ns |
| tf | Temps de chute à l’extinction | IC=100A | --- | 69 | --- | ns |
| Eon | Pertes de commutation à l’enclenchement | RG=8 | --- | 4.35 | --- | mJ |
| Eoff | Pertes de commutation à l’extinction | Charge inductive | --- | 1.11 | --- | mJ |
| Ets | Pertes de commutation totales | TC=25 ℃ | --- | 5.46 | --- | mJ |
| Cies | Capacité d'entrée | VCE=25V | --- | 7435 | --- | pF |
| Coes | Capacité de sortie | VGE=0V | --- | 237 | --- | pF |
| Cres | Transfert inverse | f =1MHz | 128 | pF | ||
| Capacitance | --- | --- |
| Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
| IF=100A, Tj=25 ℃ | --- | 1.65 | 2.2 | V | ||
| VF | Tension directe de la diode | IF=100A, Tj=150 ℃ | --- | 1.4 | --- | V |
| trr | Temps de recouvrement inverse de la diode | 201 | ns | |||
| VR=400V | --- | --- | ||||
| IF=100A | ||||||
| Irr | Pic inverse de la diode | dIF/dt=200A/us | 19 | A | ||
| courant de récupération | TC=25 ℃ | --- | --- | |||
| Qrr | Charge de recouvrement inverse de la diode | 2.45 | µC | |||
| --- | --- |
Remarque 1 Valeur nominale répétitive, largeur d’impulsion limitée par la température maximale de jonction
Informations sur le boîtier
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
