YZPST-G15T60FS

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Caractéristiques

600V,15A

VCE(sat)(typ.)=1,8V@VGE=15V,IC=15A

Commutation rapide à découpage

Rendement système plus élevé efficacité

Extinction en douceur du courant formes d’onde

Carrée RBSOA

Description générale

YZPSTLes IGBT à tranchée YZPST offrent des pertes plus faibles et un meilleur rendement énergétique pour des applications telles que le chauffage par induction (IH), les onduleurs UPS, les onduleurs généraux et autres applications à commutation douce.

Caractéristiques maximales absolues

Symbole	Paramètre	Valeur	Unités
VCES	Tension collecteur-émetteur	600	V
VGES	Tension grille-émetteur	+ 20	V
IC	Courant continu du collecteur ( TC=25 ℃)	14	A
IC	Courant continu du collecteur ( TC=100℃)	8	A
ICM	Courant collecteur pulsé (Note 1)	45	A
IF	Courant direct continu de la diode ( TC=100℃)	8	A
IFM	Courant direct maximal de la diode (Note 1)	45	A
tsc	Temps de tenue au court-circuit	10	us
PD	Dissipation de puissance maximale ( TC=25 ℃)	28	W
PD	Dissipation de puissance maximale ( TC=100℃)	11	W
TJ	Plage de température de jonction en fonctionnement	-55 à +150	℃
TSTG	Plage de température de stockage	-55 à +150	℃

Caractéristiques thermiques

Symbole	Paramètre	Max.	Unités
Rth j-c	Résistance thermique, jonction-boîtier pour IGBT	4.4	℃/ W
Rth j-c	Résistance thermique, jonction-boîtier pour diode	5.2	℃/ W
Rth j-a	Résistance thermique, jonction-ambiante	65	℃/ W