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YZPST-P150HFN120AT1R6
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
P/N:YZPST-P150HFN120AT1R6
Module 62 mm avec Trench/Fieldstop rapide IGBT et rapide récupération Diode
Caractéristiques
■ Faibles pertes de commutation
■ Faible VCESat
■ Faible VCE(sat)avec coefficient de température positif
Applications
■ Variateurs de moteur
Systèmes UPS
■ Onduleur de forte puissance
Schéma du circuit équivalent
Onduleur IGBT
Valeurs nominales maximales
Symbole | Description | Conditions | Valeurs | Unité |
VcEs | Tension collecteur-émetteur | Tv=25℃ | 1200 | V |
VGEs | Tension de crête grille-émetteur | Ty=25℃ | ±20 | V |
lc | Courant continu du collecteur | Tc=100℃ | 150 | A |
CRM | Courant de crête répétitif du collecteur | tp=1 ms | 300 | A |
Ptot | Dissipation totale de puissance | Tc=25℃,Tyjmax=175℃ | 1500 | W |
Valeurs caractéristiques
| Symbole | Valeurs | |||||
| Description | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité | |
| VcE(sat | Tension de saturation collecteur-émetteur | VcE=15V,Ic=150A,Tv=25℃ | 2.2 | V | ||
| Vge=15V,Ic=150A,Tv=125℃ | 2.5 | V | ||||
| VgE(th | Tension de seuil de grille | VgE=VcE,Ic=3.8mA | 5 | 5.8 | 6.5 | V |
| IcEs | Blocage collecteur-émetteur Courant | VcE=1200V,VgE=0V | mA | |||
| GES | Courant de fuite grille-émetteur Courant | VcE=20V,VcE=0V | 600 | nA | ||
| RGint | Interne Grille Résistance | Ty=25℃ | 3.8 | Ω | ||
| Cies | Entrée Capacitance | 11.5 | nF | |||
| Coes | Capacité de sortie | Vce=25V,Vce=0V,f=1MHz | 1 | nF | ||
| Cres | Capacité de transfert inversecité inverse | 0.4 | nF | |||
| tt(on) | Temps de retard à l’enclenchement | 139 | ns | |||
| Vcc=600V | ||||||
| t | Temps de montée à l’allumage | VoE=±15V | 37 | nS | ||
| d(a) | Temps de retard à l’extinction | Ic=150A | 192 | nS | ||
| t | Temps de chute au blocage | Rg=2.0g | 128 | nS | ||
| Eon | Enclenchement Perte de commutation | Inductif Charge | 7.9 | -= | mJ | |
| E₀ff | Perte de commutation au blocage Loss | Ty=25℃ | 8.4 | mJ | ||
| Isc | Données de court-circuit | VcE≤15V,Vcc=600V | 518 | A | ||
| tp≤10μs,Tv=25℃ | ||||||
| Résistance thermique, jonction vers boîtier | Par IGBT | —-- | 0.1 | —-- | K/W | |
| Twop | Température virtuelle de jonctiononnement | En commutation | -40 | 150 | ℃ | |
Diode - onduleur
Valeurs nominales maximales
Symbole | Description | Conditions | Valeurs | Unité |
VRRM | Crête inverse répétitive Tension | Tv=25℃ | 1200 | V |
lF | Courant direct continu en courant continu |
| 150 | A |
lFRM | Courant de crête répétitif du collecteur | tp=1 ms | 300 | A |
Valeurs caractéristiques
| Symbole | Valeurs | |||||
| Description | Conditions | Min. | Typ | Max. | Unité | |
| Tension directe | lr=150A,Vse=0V,Tv=25℃ | 2.5 | V | |||
| VF | l=150A,Vge=0V,Tv=125℃ | 1.9 | —-- | V | ||
| RM | Crête de recouvrement inverseà l’état passant | —-- | 42 | A | ||
| Qr | Charge récupérée | I=150 A, Vg=600 V, Vge=-15 V | 3.1 | µC | ||
| Erec | Énergie de recouvrement inverse | Ty=25℃ | 1.1 | mJ | ||
| Tuop | Température virtuelle de jonctiononnement | En commutation | -40 | 150 | ℃ | |
Boîtier Encombrement (mm)
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
