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YZPST-P035PJE120AT1B
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
PIM avec IGBT à tranchée Field-Stop, diode à contrôle d’émetteur et NTC
YZPST-P035PJE120AT1B
Caractéristiques
Technologie à tranchée + blocage de champ
IGBT à tranchée à blocage de champ 1200 V
Faible VCE(sat) avec faibles pertes de commutation
Applications
Convertisseurs de fréquence
Variateurs de moteur
Onduleurs auxiliaires
Schéma du circuit équivalent
Onduleur IGBT
Maximum Nominale Valeurs
Symbo | Description | Conditions | Valeurs | Unité |
VCES | Tension collecteur-émetteur | Ty=25℃ | 1200 | V |
VGEs | Tension de crête grille-émetteur | Ty=25℃ | ±20 | V |
Ic | Collecteur continu CC Collecteur Courant | Tc=100℃ | 35 | A |
CRM | Répétitif Crête Collecteur Courant | tp=1 ms | 70 | A |
Ptot | Dissipation totale de puissance | Tc=25℃,Tyimax=175℃ | 172 | W |
Valeurs caractéristiques
Symbo |
Description |
Conditions | Valeurs |
Unité | ||
Min | Typ. | Max. | ||||
VcE(sat) | Tension de saturation collecteur-émetteurration collecteur-émetteur | VGE=15V,Ic=35A,Ty=25℃ |
| 2.15 |
| V |
VGE=15V,Ic=35A,Tv=125℃ |
| 2.57 |
| V | ||
VgE(th | Tension de seuil de grille | VGE=VcE,c=1.2mA |
| 5.6 |
| V |
CES | Blocage collecteur-émetteur Courant | VcE=1200V,VGE=0V |
|
| 1 | mA |
GES | Courant de fuite grille-émetteur Courant | VGE=20V,VcE=0V |
|
| 100 | nA |
Cies | Entrée Capacitance |
VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz |
| 2590 |
| pF |
Coes | Capacité de sortie |
| 180 |
| pF | |
Cres | Capacité de transfert inversecité inverse |
| 86 |
| pF | |
td(on) | Temps de retard à l’enclenchement |
VcE=600V VGF=±15V Ic=35A Rg=120 Inductif Charge Ty=25℃ |
| 34 |
| ns |
t | Temps de montée à l’allumage |
| 20 |
| ns | |
td(off) | Temps de retard à l’extinction |
| 230 |
| ns | |
t | Temps de chute au blocage |
| 160 |
| ns | |
Eon | Enclenchement Perte de commutation |
| 2.5 |
| mJ | |
Eoff | Perte de commutation au blocage Loss |
| 2.5 |
| mJ | |
lsc | Données de court-circuit | VGE≤15V, Vcc=800V tp≤10μs,Tv=150℃ |
| 151 |
| A |
RthJC | Résistance thermique, jonction à boîtier | Par IGBT |
|
| 0.87 | K/W |
Tw OF | Température de jonction virtuelleature | En commutation | -40 |
| 150 | ℃ |
Dimensions du boîtier (mm)
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
