YZPST-MKPD-MC 1UF1600VDC

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YZPST-MKPS-P 1μF 1600V(Type-C P=32.5).pdfTÉLÉCHARGER ↘

Condensateur d’absorption tampon IGBT 1 µF, P=32,5 mm

Condensateur d’absorption tampon IGBT

Capacité nominale (CN) : 1 µF

Nominale Tension (UN )：1600 V c.c.

Tension de surtension (US) : 2400 V t<100 ms

Spécifications
Référence Normes	CEI 61071 (GB/T 17702)
Nominale capacité ( CN )	1 µF
Capacitance Tolérance	± 5 % (J )
Nominale Tension (UN )	1600 V c.c.
Surtension Tension (US )	2400V t<100 ms
	1 . 1UN 8 h/jour
	1 . 15UN 30 min/jour
Supérieur à tension	1 . 2UN 5 min/jour
	1 . 3UN 1 min/jour
Max . courant(Im a x )	25 A (40 °C)
Max . crête courant(Ip ea k )	1 . 1 kA
Diélectrique totale de puissance facteur (tanδ0 )	2×10- 4
Série résistance (Rs )	6 mΩ (100 kHz)
Auto- inductance (Ls )	28 nH
Durée de vie prévue	100000 h
Défaillance du taux	30 FIT

Essai données
Essai tension entre bornes (UT-T )	1 . 5UN/10s
Essai tension entre bornes à boîtier (UT- C )	4000V.ac/10s
Dissipation facteur (tanδ)	≤1×10- 3 (1kHz)
Isolation résistance (@20 °C, 100 V, 1 min)	IR≥15000MΩ(C N ≤0 .33 μF)
Isolation résistance (@20 °C, 100 V, 1 min)	IR×CN ≥ 5000s(CN >0 .33 μF)

Environnemental données
En fonctionnement température	-40 °C ~ +85°C
de stockage température	-40 °C ~ +85°C
Catégorie climatique catégorie	40/85/21
Refroidissement	Naturel refroidissement
Max . altitude	2000m

Plan coté dessin
Longueur (L)	57 . 5 mm
Profondeur (D)	30mm
Hauteur (H)	45mm
Centre distance (P)	32 . 5 mm

Pour plus d’informations sur YZPST-MKPD-MC 1UF1600VDC veuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé « YZPST-MKPS-P 1μF 1600V(Type-C P=32.5) "

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