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YZPST-TIP122
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
P/N:YZPST-TIP122 Transistors Darlingtons
DESCRIPTION :
Le TIP122 est un transistor NPN de puissance en silicium dans une configuration Darlington monolithique, monté dans les boîtiers TO-220B et TO-220C plastique . Il est destiné à une utilisation dans les applications de puissance linéaires et commutationching applications.
PRINCIPALES CARACTÉRISTIQUES
Symbole | Valeur | Unité |
IC | 5 | A |
VCEO | 100 | V |
MAXIMALES ABSOLUES VALEURS
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Plage de température de stockage | Tstg | de -55 à 150 | ℃ |
Température de jonction maximale en fonctionnement | Tj | 150 | ℃ |
Tension collecteur-émetteur (IB=0) | VCEO | 100 | V |
Tension collecteur-base (IE=0) | VCBO | 100 | V |
Tension émetteur-base (IC=0) | VEBO | 5 | V |
Courant collecteur | IC | 5 | A |
Courant de crête du collecteur courant | ICM | 8 | A |
Courant de base | IB | 120 | mA |
Dissipation de puissance du collecteur | PC | 2 | W |
Dissipation de puissance du collecteur à Tboîtier = 25℃ | PC | 65 | W |
BOÎTIER DONNÉES MÉCANIQUES
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
