VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-ZPK20A-1800V
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Diode à récupération rapide STUD
Type : YZPST-ZPK20A/1800V
Conduction en direct
| Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
| Crête répétitive tension inverse | VRRM | 1800 | V | Tc=125oC | ||
| Non répétitif crête inverse tension | VRSM | 1900 | V | Tc=125oC | ||
| Courant direct moyen max. | IF(AV) | 20 | A | Onde sinusoïdale, 180o | ||
| conduction,Tc=120oC | ||||||
| Max. Courant direct efficace | IF(RMS) | 38 | A | Valeur nominale | ||
| Max. crête, sur un cycle, direct, courant de surtension non répétitif | IFSM | 240 | A | 10,0 ms (50 Hz), demi-onde sinusoïdale, Tj = Tj MAX | ||
| Maximum I2tfor fusion | I2t | 400 | A2s | |||
| Chute de tension directe max. | VF | 1.95 | V | IF = 60 A ; Tj = 25oC | ||
| Tension de seuil | VF0 | 1.08 | V | Tj = Tj MAX | ||
| Pente résistance | rt | 6.33 | mΩ | Tj = Tj MAX |
Spécifications thermiques et mécaniquesications
| Paramètre | Symbole | Min. | Max. | Typ. | Unités | Conditions |
| Fuite inverse de crête répétitive de fuite and état bloqué | IRRM | 10 | mA | |||
| Température de fonctionnement | Tj | -40 | 125 | oC | ||
| Température de stockage | Tstg | -40 | 150 | oC | ||
| Maximum Temps de Temps de récupération | Trr | 1500 | ns | IF=70 A,tp=170us | ||
| Charge de recouvrement inverse de charge | Qrr | - | μC | |||
| Résistance thermique - jonction à boîtier | RΘ (j-c) | 0.6 | - | L/W | ||
| Thermique résistance - boîtier à dissipateur thermique | RΘ (c-s) | 0.25 | - | oC/W | ||
| Force de montage | P | 2.2 | N·m | ± 20 % | ||
| Poids | W | - | - | - | g | À propos |
| Type de boîtier | - | Voir le schéma Tableau |
CONTOUR DU BOÎTIER ET DIMENSIONS：
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