YZPST-SP50N80FX

✓Informations techniques du produit✓Assistance à la sélection selon l’application✓Demande de renseignements basée sur le catalogue et les besoins

E-mailinfo@yzpst.net

Téléphone+86 138 0527 8321

DEMANDER UN DEVIS TECHNIQUE↗

Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.

CENTRE DE DOCUMENTATION

Téléchargements et fichiers techniques

YZPST-SP50N80.pdfTÉLÉCHARGER ↘

MOSFET de puissance N canaux 800 V
YZPST-SP50N80FX

CARACTÉRISTIQUES
Commutation rapide
Testé à 100 % contre l’avalanche
Capacité dv/dt améliorée
APPLICATIONS
Alimentation à découpage (SMPS)
Alimentation sans interruption (UPS)
Correction du facteur de puissance (PFC)
YZPST-SP50N80FX-1

Informations de marquage et de conditionnement pour la commande des composants

Numéro de commande

Boîtier

Marquage

Conditionnement

SP50N80FX

SOT-227

SP50N80FX

Tube

Caractéristiques nominales absolues maximalesT_C= 25 ºC, sauf indication contraire
Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension drain-source (V_GS= 0 V)	VDSS	800	V
Courant de drain continu	I_D	50	A
Pulsé courant de drain Courant (note 1)	IDM	200	A
Tension grille-source	VGSS	±30	V
Impulsion unique Avalanche Énergie (note2)	EAS	4500	mJ
Répétitif Avalanche Énergie (note 1)	EAR	60	mJ
Dissipation de puissance (T_C= 25 ºC)	P_D	690	W
Plage de température de jonction et de stockage en fonctionnement	TJ, Tstg	-55~+150	ºC
Attention :Des contraintes supérieures à celles indiquées dans les « Caractéristiques maximales absolues » peuvent provoquer des dommages permanents auappareil.

Résistance thermique

Paramètre

Symbole

Valeur

Unité

Résistance thermique jonction-boîtier

RthJC

0.18

ºC/W

Résistance thermique jonction-ambiance

RthJA

SpécificationsT_J= 25 ºC, sauf indication contraire
Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Valeur			Unité
Paramètre	Symbole	Conditions d'essai	Min.	Typ.	Max.	Unité
Statique
Tension de claquage drain-source	V(BR)DSS	V_GS= 0 V, I_D= 250 µA	800	--	--	V
Courant de drain à tension grille-source nulle	IDSS	V_{Fiche technique}=800, V_GS= 0 V, T_J= 25 ºC	--	--	1.0	μA
Fuite grille-source	IGSS	V_GS = ±30V	--	--	±100	nA
Tension de seuil grille-source	VGS(th)	I_{Fiche technique}= 250 µA	2.5	--	4.5	V
Résistance à l'état passant drain-source (note3)	RDS(on)	V_GS= 10 V, I_D= 25 A	--	120	130	mΩ
Dynamique
Capacité d'entrée	Ciss	V_GS= 0 V, V_{Fiche technique}= 25 V, f = 1.0 MHz	--	14600	--	pF
Capacité de sortie	Coss		--	1300	--
Capacité de transfert inverse	Crss		--	66	--
Charge totale de grille	Q_g	V_DD=400 V, I_D=50 A, V_GS10 V	--	360	--	nC
Charge grille-source	Qgs		--	80	--
Charge grille-drain	Qgd		--	120	--
Temps de retard à l’enclenchement	td(on)	V_DD400 V, I_D50 A, R_G10 Ω	--	110	--	ns
Temps de montée à l’allumage	t_r		--	200	--
Temps de retard à l’extinction	td(off)		--	160	--
Temps de chute au blocage	t_f		--	185	--
Caractéristiques de la diode de corps drain-source
Courant continu de la diode de corps	I_S	T_C25 °C	--	--	50	A
Courant direct impulsionnel de la diode	ISM	T_C25 °C	--	--	400	A
Tension de la diode de corps	VSD	T_J25 °C, I_SD25 A, V_GS0 V	--	--	1.4	V
Temps de recouvrement inverse	trr	V_GS0 V, I_S50 A, di_F/dt = 100 A /μs	--	520	--	ns
Charge de recouvrement inverse	Qrr	V_GS0 V, I_S50 A, di_F/dt = 100 A /μs	--	5.0	--	μC