YZPST-MJE2955T
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
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TRANSISTORS DE PUISSANCE AU SILICIUM PNP MJE2955T
Le MJE2955T est un transistor PNP, complémentaire du MJE3055T, utilisé dans les circuits d’amplification audio de puissance et de conversion de puissance.
Boîtier : TO-220
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
VCBO | Tension collecteur-base | -70 | V |
VCEO | Tension collecteur-émetteur | -60 | V |
VEBO | Tension émetteur-base | -5 | V |
IC | Courant collecteur continu | -10 | A |
PTOT | Dissipation totale à Tboîtier=25 ℃ | 75 | W |
Tj | Température de jonction | 150 | ℃ |
Tstg | Plage de température de stockage | -55-150 | ℃ |
● CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES(TC = 25°C, sauf indication contraire) spécifié)
Symbole | Paramètre | Condition d’essai | Valeur | Unité | ||
Min | Type | Max | ||||
VCBO | Tension de claquage collecteur-base | IC= -10mA | -70 |
|
| V |
VCEO | Tension de claquage collecteur-émetteur | IC= -200mA | -60 |
|
| V |
VEBO | Tension de claquage émetteur-base | IE= -10mA | - 5 |
|
| V |
ICBO | Courant de coupure collecteur | VCB= -70V |
|
| 1 | mA |
IEBO | Courant de coupure de l’émetteur | VEB= -5 V |
|
| 5 | mA |
hFE | Gain en courant continu | IC= -4 A, VCE= -4 V | 20 |
| 100 |
|
VCE(sat) | Tension de claquage collecteur-base | IC= -4 A, IB= -0,4 A |
|
| -1.1 | V |
VBE(sat) | Tension de saturation base-émetteur | IC= -4 A, IB= -4 A |
|
| -1.8 | V |
fT | Fréquence de transition | VCE=10 V, IC=0,5 A，f=1 MHz | 2 |
|
| MHz |
a：Essai en impulsions，tp ≤ 300 µs，δ≤2% | ||||||
CONSTRUCTION DU BOÎTIER MÉCANIQUES
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
