YZPST-13005D

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TRANSISTORS DE PUISSANCE AU SILICIUM NPN 13005D
●DESCRIPTION :
Le 13005D est un transistor NPN utilisé dans les ballasts électroniques et les lampes électroniques à économie d’énergie. Il se caractérise par de faibles pertes de commutation, une grande fiabilité, de bonnes performances à haute température, une vitesse de commutation adaptée, une tension de claquage élevée et un faible courant de fuite inverse.

YZPST-13005D-1

●VALEURS ABSOLUES MAXIMALES

Symbole	Paramètre		Valeur	Unité
VCBO	Tension collecteur-base		700	V
VCEO	Tension collecteur-émetteur		400	V
VEBO	Tension émetteur-base		9	V
I_C	Courant collecteur continu		3	A
Icm	Courant de crête du collecteur（Tp＜5 ms）		6	A
PTOT	Dissipation totale à Tcase = 25 °C	TO-126SD	50	W
PTOT	Dissipation totale à Tcase = 25 °C	TO-220	75	W
T_j	Température de jonction		150	℃
T_stg	Plage de température de stockage		-55—150	℃

●CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TC = 25 °C, sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Condition d’essai	Valeur			Unité
Symbole	Paramètre	Condition d’essai	Min	Type	Max	Unité
ICBO	Courant de coupure collecteur	V_CB= 700 V，IE=0			0.1	mA
ICEO	Courant de coupure de base	V_CE= 400 V，Ic=0			0.1	mA
IEBO	Courant de coupure de l’émetteur	V_EB= 9 V，I_C=0			0.1	mA
VCBO	Tension de claquage collecteur-base	I_C= 0,1 mA	700			V
VCEO	Tension de claquage collecteur-émetteur	I_C= 0,1 mA	400			V
VEBO	Tension de claquage émetteur-base	I_B= 0,1 mA	9			V
hFE	Gain en courant continu	I_C= 0,5 A,V_CE= 5 V	15		35
a VCE sat	Tension de claquage collecteur-base	I_C= 2 A,I_B= 0,5 A			1	V
a VBE sat	Tension de saturation base-émetteur	I_C= 2 A,I_B= 0,5 A			1.5	V
ts	Temps de stockage	UI9600，Ic = 0,5 A	2		7	us
f_T	Fréquence de transition	VCE=10V，IC= 0,2 Af = 1 MHz	5			MHz
a：Essai en impulsions，tp≤300 µs，δ≤2%