YZPST-BTB06-600B
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Triacs 6 A série BTA06/BTB06
YZPST-BTB06-600B
Triac BTB06-600B 600 V haute robustesse, boîtier TO-220
DESCRIPTION :
Grâce à leur excellente tenue aux à-coups de courant élevé, les triacs des séries BTA06/BTB06 offrent un fort taux de dv/dt et une grande immunité aux interférences électromagnétiques.
Avec d’excellentes performances de commutation, les produits à 3 quadrants sont particulièrement recommandés pour les charges inductives. Grâce à leur montage sur dissipateur externe via leurs trois bornes, les BTA06 offrent une tension d’isolement nominale de 2500 VRMS, conforme aux normes UL.
PRINCIPALES CARACTÉRISTIQUES :
symbole | valeur | unité |
IT(RMS) | 6 | A |
VDRM/VRRM | 600/800 | V |
VTM | ≤1.5 | V |
MAXIMALES ABSOLUES CARACTÉRISTIQUES NOMINALES :
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Plage de température de jonction de stockage | Tstg | -40~150 | ℃ |
Plage de température de jonction de fonctionnement | Tj | -40~125 | ℃ |
Tension de blocage répétitive de crête à l’état bloqué (Tj=25℃) | VDRM | 600/800 | V |
Tension inverse répétitive de crête (Tj=25℃) | VRRM | 600/800 | V |
Courant efficace à l’état passant | IT(RMS) | 6 | A |
Courant de crête en conduction à l’état passant non répétitif (cycle complet, F=50 Hz) |
ITSM |
60 |
A |
Valeur I2t pour le fusible (tp=10 ms) | I2t | 18 | A²s |
Taux critique d’augmentation du courant à l’état passant (IG=2×IGT) | dI/dt | 50 | A/μs |
Courant de crête de grille | IGM | 2 | A |
Dissipation de puissance moyenne de gâchette | PG(AV) | 1 | W |
Puissance de crête de gâchette | PGM | 5 | W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tj=25℃ sauf indication contraire)
3 quadrants：
| Paramètre | Valeur | |||||||
| Condition d’essai | Quadrant | TW | SW | CW | BW | Unité | ||
| IGT | VD=12 V, | 5 | 10 | 35 | 50 | mA | ||
| VGT | RL=33 Ω | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MAX | 1.5 | V | |||
| VGD | VD=VDRM | Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | MIN | 0.2 | V | |||
| IH | IT=100mA | MAX | 6 | 10 | 35 | 60 | mA | |
| Ⅰ-Ⅲ | 10 | 15 | 50 | 70 | ||||
| IL | IG=1.2IGT | Ⅱ | MAX | 15 | 25 | 60 | 80 | mA |
| VD=2/3VDRM Tj=125℃ Porte ouverte | ||||||||
| dV/dt | MIN | 50 | 100 | 500 | 1000 | V/ µs | ||
4 quadrants：
| Paramètre | Valeur | |||||
| Condition d’essai | Quadrant | C | B | Unité | ||
| Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ | 25 | 50 | mA | |||
| IGT | VD=12 V, | Ⅳ | 50 | 70 | mA | |
| VGT | RL=33 Ω | TOUT | MAX | 1.5 | V | |
| VGD | VD=VDRM | TOUT | MIN | 0.2 | V | |
| IH | IT=100mA | MAX | 40 | 60 | mA | |
| IL | IG=1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ | MAX | 50 | 70 | mA |
THERMIQUES RÉSISTANCES
| Symbole | Condition d’essai | Valeur | Unité | |
| TO-251-4R/ TO-252-4R | 2.8 | |||
| TO-220A (isolé） | 3.4 | |||
| TO-220B (non isolé） | 2.2 | ℃/W | ||
| Rth(j-c) | jonction à boîtier(CA) | TO-220F (isolé） | 3.2 | |
BOÎTIER DONNÉES MÉCANIQUES
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
