YZPST-300HF120TK-G2

YZPST-300HF120TK-G2

Module IGBT 300A 1200V

CARACTÉRISTIQUES
Forte capacité de court-circuit, courant de court-circuit auto-limité
PUCE IGBT (technologie Trench + Field Stop)
VCE(sat) avec coefficient de température positif
Commutation rapide et courant de queue court, faibles pertes de commutation
Diodes de roue libre avec recouvrement inverse rapide et souple
Détection de température intégrée
APPLICATIONS
Application de commutation à haute fréquence
Applications médicales
Commande de mouvement/servo
Systèmes UPS

VALEURS ABSOLUES MAXIMALES VALEURS TC=25°C sauf indication contraire indiquée

Symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Valeurs	Unité
IGBT
VCES	Tension collecteur-émetteur	TVj=25°C	1250	V
VGES	Tension grille-émetteur		±30	V
IC	Courant collecteur continu	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
ICM	Courant collecteur de crête répétitif	tp=1 ms	600	A
Ptot	Dissipation de puissance par IGBT		2083	W
Diode
VRRM	Tension inverse répétitive	TVj=25°C	1250	V
IF(AV)	Courant direct moyen	TC=25°C	450	A
		TC=80°C	300	A
IFRM	Courant direct de crête répétitif	tp=1 ms	600	A

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET THERMIQUESTC=25°C sauf indication contraire

Symbole	Paramètre	Conditions d'essai			Min.	Typ.	Max.	Unité
IGBT
VGE(th)	Grille - Émetteur Seuil Tension	VCE=VGE, IC=2,0 mA			5.0		6.8	V
VCE(sat)	Collecteur - Émetteur	IC=300 A, VGE=15V, TVj=25°C				2.2	2.6	V
	Tension de saturation	IC=300 A, VGE=15V, TVj=125 °C				2.65		V
ICES	Courant de fuite du collecteur	VCE=1250 V, VGE=0V, TVj=25°C					1	mA
		VCE=1250 V, VGE=0V, TVj=125 °C					5	mA
Rgint	Résistance de grille intégrée	Par interrupteur				5		Ω
IGES	Courant de fuite de grille	VCE=0 V, VGE±15 V, TVj=125 °C			-500		500	nA
Cies	Capacité d'entrée	VCE=25 V, VGE=0 V, f =1 MHz				21.3		nF
Cres	Capacité de transfert inverse					1.42		nF
td(on)	Délai d'enclenchement	VCC=600 V, IC=300A,		TVj=25°C		393		ns
		RG =3.3Ω,		TVj=125 °C		395		ns
tr	Temps de montée	VGE=±15 V,		TVj=25°C		130		ns
		Charge inductive		TVj=125 °C		135		ns
td(off)	Délai de blocage	VCC=600 V, IC=300A,		TVj=25°C		570		ns
		RG =3.3Ω,		TVj=125 °C		600		ns
tf	Temps de descente	VGE=±15 V,		TVj=25°C		145		ns
		Charge inductive		TVj=125 °C		155		ns
Eon	Énergie d'enclenchement	VCC=600 V, IC=300A,		TVj=25°C		7.7		mJ
		RG =3.3Ω,		TVj=125 °C		14.5		mJ
Eoff	Énergie de blocage	VGE=±15 V,		TVj=25°C		26.3		mJ
		Charge inductive		TVj=125 °C		33.5		mJ
ISC	Courant de court-circuit	tpsc≤10 µS, VGE=15 V TVj=125 °C, VCC= 900 V				2100		A
RthJC	Résistance thermique jonction-boîtier(par IGBT)						0.07	K/W
Diode
VF	Tension directe	IF=300 A, VGE=0V, TVj=25°C				1.82	2.25	V
		IF=300 A, VGE=0V, TVj=125 °C				2.0		V
Qrr	Charge inverse	IF=300 A, VR=600V				40		µC
IRRM	Courant de recouvrement inverse max.	diF/dt=-2360 A/μs				250		A
Erec	Énergie de recouvrement inverse	TVj=125 °C				18.5		mJ
RthJCD	Résistance thermique jonction-boîtier		(par diode)				0.12	K/W

PLAN DU BOÎTIER

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