YZPST-S4A010120A
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
P/N:YZPST-S4A010120Une diode Schottky en SiC
Silicium Carbure Schottky Diode
Caractéristiques
Courant de recouvrement inverse nul
Tension de recouvrement direct nulle
Coefficient de température positif sur VF
Commutation indépendante de la température
Température de jonction en fonctionnement de 175 °C
Avantages
Remplace un dispositif bipolaire par un dispositif unipolaire
Réduction de la taille du dissipateur thermique
Câblage de dispositifs en parallèle sans emballement thermique
Pratiquement aucune perte de commutation
Applicationications
Alimentations à découpage
Correction du facteur de puissance
Entraînement de moteur, onduleur photovoltaïque, centrale éolienne
Maximum Valeurs
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | Conditions de test | Remarque |
| VRRM | Tension inverse de crête répétitive | 1200 | V | TC = 25 °C | |
| VRSM | Tension inverse de crête de surtension | 1200 | V | TC = 25 °C | |
| VR | Tension de blocage en courant continu | 1200 | V | TC = 25 °C | |
| 30 | TC ≤ 25 °C | ||||
| IF | Courant direct | 14 | A | TC ≤ 135 °C | |
| 10 | TC ≤ 150 °C | ||||
| IFSM | Courant de surtension directe non répétitif | 95 | A | TC = 25 °C, tp = 8,3 ms, demi-onde sinusoïdale | |
| Ptot | Dissipation de puissance | 150 | W | TC = 25 °C | Fig. 3 |
| TC | Température maximale du boîtier | 150 | C | ||
| TJ, TSTG | Température de jonction en fonctionnement et de stockage | -55 à 175 | C | ||
| Couple de fixation TO-220 | 1 | N·m | Vis M3 |
Électriques Caract.ristiques
| Symbole | Paramètre | Typ. | Max. | Unité | Conditions de test | Remarque |
| VF | Tension directe | 1.55 | 1.8 | V | IF = 10 A, TJ = 25 °C | Fig. 1 |
| 2.2 | 2.5 | IF = 10 A, TJ = 175 °C | ||||
| Courant inverse | 2 | 20 | µA | VR = 1200 V, TJ = 25 °C | Fig. 2 | |
| IR | 10 | 200 | VR = 1200 V, TJ = 175 °C | |||
| 650 | VR = 0 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz VR = 400 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz VR = 800 V, TJ = 25 °C, f = 1 MHz | |||||
| C | Capacité totale | 49 | / | pF | Fig. 5 | |
| 40 | ||||||
| Charge capacitive totale | / | nC | VR = 800 V, IF = 10 A | Fig. 4 | ||
| C | 29 | di/dt = 200 A/µs, TJ = 25 °C |
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