Transistor de puissance Darlington PNP en silicium YZPST-FW26025A1
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Transistor de puissance Darlington PNP au silicium
DESCRIPTION
·Gain en courant continu élevé-
: hFE = 5000 (min.) à IC = -2 A
·Tension de maintien collecteur-émetteur-
: VCEO(SUS) = -100 V (min.)
·Variations minimales d’un lot à l’autre pour des performances robustes et un fonctionnement fiable.
APPLICATIONS
·Conçu pour les équipements industriels linéaires et à commutation
VALEURS MAXIMALES ABSOLUES (Ta = 25 °C)
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
VCBO |
Collecàr-Base Voltage |
-100 |
V |
VCEO |
Collecàr-Emitter Voltage |
-100 |
V |
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
-5 |
V |
IC |
Collecàr Current-Continuous |
-20 |
A |
ICM |
Collecàr Current-Peak |
-40 |
A |
IB |
Base Current- Continuous |
-0.5 |
A |
PC | Collecàr Power Dissipàion @TC=25℃ |
160 |
W |
Tj |
Junction Temperature |
200 | ℃ |
Tstg |
Sàrage Temperàure Range |
-65~200 | ℃ |
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
SYMBOL |
PARAMETER |
MAX |
UNIT |
Rth j-c |
Thermal Resistance, Junction to Case |
1.09 | ℃/W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES
TC = 25 °C sauf indication contraire
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN |
TYP. |
MAX |
UNIT |
VCEO(SUS)* |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
IC= -100 mA, IB= 0 |
-100 |
|
|
V |
VCE(sà)-1* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -10A , IB= -40 mA |
|
|
-2.0 |
V |
VCE(sà)-2* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A , IB= -200mA |
|
|
-3.0 |
V |
VBE(sà)* |
Base-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A , IB= -200mA |
|
|
-4 |
V |
V BE(on)* |
Base-Emitter On Voltage |
IC= -10A ; VCE= -3V |
|
|
-2.8 |
V |
ICEO |
Collector CCourant de sortiedef current |
VCE= -50V, IB= 0 |
|
|
-1 |
mA |
ICEV |
Collector CCourant de sortiedef current(VBE=-1.5V) | VCE= -100V, IB= 0 |
|
| -0.5 |
mA |
VCE= -100V, IB= 0,Tc=150℃ | -5 | |||||
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= -5V; IC= 0 |
|
|
-2 |
mA |
hFE-1* |
CC CurrentGain |
IC= -2A ; VCE= -3V |
5000 |
|
|
|
hFE-2* |
CC CurrentGain |
IC= -10A ; VCE= -3V |
750 |
|
18000 |
|
hFE-3* |
CC CurrentGain |
IC= -30A ; VCE= -3V |
200 |
|
|
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
