



MOSFET de puissance à canal N 65R72GF en remplacement du STW48N60M2
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
MOSFET de puissance à canal N
Type : YZPST-65R72GF
| RÉSUMÉ DU PRODUIT | |
| Vds (V) à Tj max. | 700 |
| Rds(on))max. à 25°C (mΩ) | Vgs=10V 72 |
| Qg max. (nC) | 130 |
| Qgs (nC) | 30 |
| Qgd (nC) | 34 |
| Configuration | simple |
Caractéristiques
MOSFET à diode de corps rapide
ID=47 A (Vgs=10 V)
Charge de grille ultra-faible
Capacité dv/dt améliorée
Conforme RoHS
Applications
Alimentations à découpage (SMPS)Alimentations pour serveurs et télécommunications
Soudage et chargeurs de batterie
Solaire (onduleurs PV)
Circuits pont AC/DC
| INFORMATIONS DE COMMANDE | |
| Référence | YZPST-65R72GF |
| Boîtier du composant | TO-247 |
| Marquage | 65R72GF |
| CARACTÉRISTIQUES ABSOLUES MAXIMALES (Tc=25o°C, sauf indication contraire) | |||
| Paramètre | Symbole | Limite | Unité |
| Tension drain-source | Vdss | 650 | V |
| Courant de drain continu (@Tc=25°C) | Id | 47⑴ | A |
| Courant de drain continu (@Tc=100°C) | 29⑴ | A | |
| Courant de drain pulsé(2) | Idm | 138⑴ | A |
| Tension grille-source | Vgs | ±30 | V |
| Énergie d’avalanche en impulsion unique(3) | Eas | 1500 | mJ |
| Robustesse du MOSFET au dv/dt (@VFiche technique=0~400V) | dv/dt | 25 | V/ns |
| dv/dt de récupération de diode de crête ⑷ | dv/dt | 15 | V/ns |
| Dissipation totale de puissance (@Tc=25°C) | Pd | 417 | W |
| Facteur de déclassement au-dessus de 25°C | 3.34 | W/°C | |
| Température de jonction en fonctionnement et température de stockage | Tstg, Tj | -55 à +150 | °C |
| Température maximale des pattes pour le soudage | Tl | 260 | °C |
Remarques
1. Le courant de drain est limité par la température maximale de jonction.
2. Valeur répétitive : largeur d’impulsion limitée par la température de jonction.
3 L = 37 mH, lAS= 9 A, VDD= 50 V, RG= 25Q, à partir de Tj = 25°C
4. ISD< lD , di/dt = WOA/us, VDD< BVDSSà partir de Tj = 25°C
Pour plus d’informations surYZPST-65R72GFveuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé « YZPST-65R72GF »
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