YZPST-R03N120TP
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
P/N: YZPST-R03N120TP
MOSFET planaire N-canal 1200 V
Caractéristiques générales
Conforme RoHS
RDS(ON),typ.=6Ω@VGS=10V
Faible charge de grille, pertes de commutation minimisées
Diode de corps à récupération rapide
Applications
Adaptateur
Chargeur
Alimentation de veille pour SMPS
Boîtier et finition sans plomb
BVDSS | RDS(ON),typ. | ID |
1200V | 6Ω | 3.0A |
Absolu Maximum CaractéristiquesgsTC=25℃ sauf indication contraire
Symbole | Paramètre | R03N120TP | Unité |
VDSS | Tension drain-source | 1200 |
V |
VGSS | Tension grille-source | ±30 | |
ID | Courant de drain continu Courant | 3.0 |
A |
IDM | Courant de drain pulsé à VGS=10V | 12 | |
EAS | Simple Avalanche en impulsion Énergie | 100 | mJ |
dv/dt | Crête Diode dv/dt de recouvrement[3] | 5.0 | V/ns |
PD | Dissipation de puissance | 75 | W |
Déclassement Facteur supérieur à 25℃ | 0.6 | Avec℃ | |
TL | Température de soudage Distance de 1,6 mm du boîtier pendant 10 secondes | 300 |
℃ |
TJ& TSTG | Plage de température de fonctionnement et de stockagetempérature et de stockage | de -55 à 150 |
Attention : Des contraintes supérieures à celles indiquées dans les « valeurs maximales absolues »maximales absolues » peuvent provoquer des dommages permanents à l' appareil.
Caractéristiques thermiques
Symbole | Paramètre | R03N120TP | Unité |
RθJC | Thermique Résistance, Jonction-boîtier | 1.67 |
℃/W |
RθJA | Thermique Résistance, jonction-ambiantjonction-ambiant | 62 |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
