









YZPST-130MT160K
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-130MT160K
CARACTÉRISTIQUES DU PRODUIT
Boîtier entièrement compatible avec la série de modules de puissance standard du secteur INT-A-PAK
Boîtier à forte conductivité thermique, boîtier isolé électriquement
Excellent rapport puissance/volume
Conçu et qualifié pour le niveau industriel
APPLICATIONS
Redresseurs triphasés pour alimentations
Redresseurs d’entrée pour variateurs de fréquence
Redresseurs pour alimentations d’induit de moteurs à courant continu
Redresseurs pour chargeurs de batterie

MAXIMALES ABSOLUES CARACTÉRISTIQUES NOMINALES TC=25°C sauf sauf indication contraire
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Valeurs | Unité |
VRRM | Maximum Répétitif Tension inverse |
| 1600 | V |
VRSM | Maximum Non répétitife Tension inverse |
| 1700 | V |
ID | Courant moyen Courant direct | TC=85(62)°C | 130(160) | A |
IFSM | Non répétitif Surtension Courant direct | 50 Hz/60 Hz | 1130/1180 | A |
I2t | I2t (Pour fusible) | 50 Hz/60 Hz | 6400/5800 | A2s |
VF(TO)1 | Valeur basse de seuilde la tension | 16,7%* π*IF(AV) < I < π *IF(AV),TCJ= 150 °C |
0.78 |
V |
VF(TO)2 | Valeur élevée de seuiltension | I > π*IF(AV),TCJ=150°C | 0.99 | V |
rf1 | Valeur basse de pente directe résistance | 16,7%* π*IF(AV) < I < π *IF(AV),TCJ= 150 °C |
4.59 |
m Ω |
rf2 | Valeur élevée de résistance de pente directe | I > π*IF(AV),TCJ=150°C | 4.17 | m Ω |
VISO | Tension d’isolement @AC1s | 50Hz | 3000 | V |
TJ | Température de jonction |
| -40 à +150 | °C |
TSTG | Température de stockage Plage |
| -40 à +150 | °C |
Md | Vers le dissipateur thermique (M6) |
| 4~6 | N·m |
Vers les bornes (M5) |
| 3~4 | N·m | |
RθJC |
Résistance thermique maximale, Jonction-boîtier | Fonctionnement CC par module | 0.16 |
°C/W |
Fonctionnement CC par jonction | 0.93 | |||
120 。red. Par module | 0.18 | |||
120 。red. Par jonction | 1.08 | |||
Rθcs | Boîtier vers dissipateur thermique | Par Module | 0.03 |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Par diode TC=25°C sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Min. | Typ. | Max. | Unité |
IRRM |
| TC= 150 °C |
|
| 10 | mA |
VFM | Tension directe Chute | IF =200A, TJ=25°C |
|
| 1.63 | V |

Produits associés
D'une référence de pièce à un besoin complet en énergie.

Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
Envoyez-nous la référence, l'objectif électrique et le contexte d'application.
Contacter YZPST →© 2026 YZPST. Tous droits réservés.
Nous utilisons des cookies nécessaires au fonctionnement de ce site web. Avec votre accord, les cookies d'analyse nous aident à comprendre l'utilisation du site. Consultez notrePolitique en matière de cookies.


.jpg)
.jpg)


