YZPST-VVZF70-16
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
PONT THYRISTOR TRIPHASÉ Réf. :YZPST-VVZF70-16
CARACTÉRISTIQUES DU PRODUIT
Boîtier avec plaque de base en cuivre
Tension d'isolement 3000 V~
Puces passivées planaires
Faible chute de tension directe
Bornes d'alimentation Faston 1/4”
CARACTÉRISTIQUES DU PRODUIT
Boîtier avec plaque de base en cuivre
Tension d'isolement 3000 V~
Puces passivées planaires
Faible chute de tension directe
Bornes d'alimentation Faston 1/4”
MAXIMALES ABSOLUES CARACTÉRISTIQUES NOMINALES TC=25°C sauf indication contraire
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Valeurs | Unité |
Id(AV) |
| TJ=85°C, module | 70 | A |
Id(AVM) |
| Module | 70 | A |
IFRMS, ITRMS, |
| par jambe | 36 | A |
VRSM,VDSM, | Maximum Aucun Répétitif Tension inverse |
| 1600 | V |
VRRM,VDRM, | Répétitif maximal Inverse Tension |
| 1600 | V |
IFSM, ITSM | TJ=45°C, VR =0 V | t = 10 ms (50Hz) ,sinusoïdal | 550 | A |
t = 8,3 ms (60Hz) ,sinusoïdal | 600 | |||
TJ = 125°C, VR =0 V | t = 10 ms (50Hz) ,sinusoïdal | 500 | A | |
t = 8,3 ms (60Hz) ,sinusoïdal | 550 | |||
I2t | TJ=45°C, VR =0 V | t = 10 ms (50Hz) ,sinusoïdal | 1520 | A2s |
t = 8,3 ms (60Hz) ,sinusoïdal | 1520 | |||
TJ = 125°C, VR =0 V | t = 10 ms (50Hz) ,sinusoïdal | 1250 | A2s | |
t = 8,3 ms (60Hz) ,sinusoïdal | 1250 | |||
VT |
| TJ= 25°C,IT = 80A | max.1.64 | V |
ID, IR |
| TJ= 125°C, VD = VDRM,VR = VRRM, | max.5 | mA |
VRGM |
|
| 10 | V |
VÀ |
| Pour les calculs de pertes de puissance uniquement | 0.85 | V |
rT |
|
| 11 | m Ω |
IH | TJ= 25°C | VD = 6V | <= 200 | mA |
IL | TJ= 25°C | IG = 0.45A,diG/dT=0.45A/us,tp= 10us | <= 450 | mA |
VGT | VD=6 V | TJ= 25°C | <= 1.5 | V |
TJ= -40°C | <= 1.6 | |||
IGT | VD=6 V | TJ= 25°C | <= 100 | mA |
TJ= -40°C | <= 200 | |||
VGD | TJ= 125°C,VD = 2/3VDRM |
| <= 0.2 | V |
IGD |
|
| <= 5 | mA |
tgd | TJ= 25°C,VD = 1/2VDRM | IG = 0.45A,diG/dT=0.45A/us | <= 2 | us |
tq | TJ= 125°C,VD = 2/3VDRM | IT = 20A,diG/dT = -10A/us,tp = 200us V R= 100V,dv/dT = 15V/us | 250 | us |
TJ | Température de jonction |
| -40 à +125 | °C |
TSTG | Température de stockage Plage |
| -40 à +125 | °C |
Visol |
| c.a. 50/60 Hz，valeur efficace, 1 s/1 min | 3000/2500 | V~ |
Md | Couple de serrage de montage（M5） |
| 5 | N.m |
RθJC | Par thyristor/diode ; CC par Module |
| 0.9 | K/W |
0.15 | ||||
Poids |
|
| 50 | g |
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
