MOSFET de puissance à canal P en tranchée 100 V R100P11A TO-252
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Paramètre | Valeur | Unité |
VFiche technique | -100 | V |
RDS(ON)_TYP | 156 | mΩ |
ID | -11 | A |
QG | 42.5 | nC |
Symbole | Paramètre | Limite | Unité |
VFiche technique | Tension drain-source (VGS=0 V) | -100 | V |
VGS | Tension grille-source (VFiche technique=0 V) | ±20 | V |
ID | Courant de drain continu (TC=25℃) | -11 | A |
Courant de drain continuuous(TC=100℃) | -6.7 | A | |
IDM (pluse) | Courant de drain continu @ CCourant impulsionnel (Remarque 1) | -44 | A |
PD | Maximum Dissipation de puissance (TC=25℃) | 48 | W |
Maximum Dissipation de puissance (TC=100℃) | 19 | W | |
EAS | Énergie d’avalanche (Note 2) | 72 | mJ |
TJ, TSTG | Température de jonction et de stockage de fonctionnement and Storage Temperature Plage | -55 à 150 | ℃ |
Tableau 2. Caractéristiques thermiqueseristic
Symbole | Paramètre | Typ | Max | Unité |
RθJC | Thermique Résistance jonction-boîtier |
| 2.6 | ℃/W |
TO-252 Boîtier Informations
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
