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YZPST-IDW20G120C5BFKSA1 (YZPST-RD20120T)
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-IDW20G120C5BFKSA1 (YZPST-RD20120T)
Schottky SiC Diode
Caractéristiques
Tension de recouvrement direct nulle
Courant de recouvrement inverse nul
Excellente capacité de courant de surtension
Commutation indépendante de la température
Coefficient de température positif sur VF
Fonctionnement à haute fréquence
Avantages
Densité de puissance accrue
Pertes de commutation quasiment nulles
Réduction des besoins en dissipateur thermique
Rendement supérieur
EMI réduites
Applications
Alimentations sans interruption
Alimentations à découpage
Correction du facteur de puissance
Pilotes de moteur
Valeurs maximales admissibles (Tj=25℃ sauf indication contraire)
Symbole | Paramètre | Conditions d’essai | Valeur | Unité |
VRRM | Crête répétitive tension inverse |
| 1200 | V |
VRSM | Surtension tension inverse de crête |
| 1200 | V |
IF | Courant direct continu | TC=25°C TC=155°C | 35*/70** 10*/20** | A |
IFSM | Courant de surtension direct non répétitifcourant de surcharge | TC=25°C , tp=10ms, Demi-onde sinusoïdaleve | 105* | A |
IFRM | Répétitif Crête Surtension directe Courant | TC=25°C , tp=10ms, Demi-onde sinusoïdale | 60* | A |
∫i2dt | i2t valeur | TC=25°C , tp=10 ms | 55.1* | A2S |
Ptot | Dissipation de puissance | TC=25°C TC=110°C | 197* 85* | W |
Tj | Température de jonction de fonctionnementrature |
| -55~175 | °C |
Tstg | Température de stockage |
| -55~175 | °C |
Plans du boîtier
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
