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YZPST-S4A010120A
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
N° de pièce : YZPST-S4A010120A
Diode Schottky au carbure de silicium
Caractéristiques
Courant de recouvrement inverse nul
Tension de recouvrement direct nulle
Coefficient de température positif sur VF
Commutation indépendante de la température
Température de jonction en fonctionnement de 175 °C
Avantages
Remplace un dispositif bipolaire par un dispositif unipolaire
Réduction de la taille du dissipateur thermique
Câblage de dispositifs en parallèle sans emballement thermique
Pratiquement aucune perte de commutation
Applications
Alimentations à découpage
Correction du facteur de puissance
Entraînement de moteur, onduleur photovoltaïque, centrale éolienne
Maximum Valeurs
Symbole | Paramètrer | Valeure | UUnité | TEssai Conditions | NRemarque |
vRRM | Répétitif Crête Temps de Tension | 1200 | V | TC = 25C | |
vRSM | Surtension Tension inverse de pointe | 1200 | V | TC = 25C | |
vR | Blocage en courant continung Tension | 1200 | V | TC = 25C | |
IF | Courant directt | 30 14 10 | A | TC ≤ 25C TC ≤ 135C TC ≤ 150C | |
IFSM | Non répétitifif Direct Surtension Courant | 95 | A | TC = 25C, tp = 8,3 ms, onde sinusoïdale demi-onde | |
Ptot | Dissipation de puissanceipation | 150 | W | TC = 25C | Fig..3 |
TC | Maximm Boîtier Température | 150 | C | ||
TJ , TSTG | Ofonctionnement Jonction et de stockage Température | -55 à 175 | C | ||
TO-Couple de montage de 220 | 1 | N·m | Vis M3w |
Électriques Caract.ristiques
Symbole | Paramètrer | Typ. | Max. | UUnité | TEssai Conditions | NRemarque |
VF | Tension directetage | 1.55 2.2 | 1.8 2.5 | V | IF = 10A, TJ = 25C IF = 10A, TJ 175C | Fig..1 |
IR | Courant inverset | 2 10 | 20 200 | µA | VR = 1200V, TJ = 25C VR = 1200V, TJ 175C | Fig..2 |
C | Capacité totale | 650 49 40 | / | pF | VR = 0V, TJ = 25C, f= 1MHz VR = 400V, TJ = 25C, f = 1MHz VR = 800V, TJ = 25C, f = 1MHz | Fig..5 |
| C | Dissipation Charge capacitive | 29 | / | nC | VR = 800V, IF = 10A di/dt = 200A/µs, TJ = 25C | Fig..4 |
Boîtier Dimensions
Emballageage TO-220-2
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
