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YZPST-BT169 10-30UA
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
SCR YZPST-BT169
DESCRIPTION :
La série SCR BT169 offre un taux dv/dt élevé
avec une forte résistance aux interférences électromagnétiques.
Ils sont particulièrement recommandés pour une utilisation dans les disjoncteurs différentiels, les redresseurs à commande de phase, les allumeurs, etc.
PRINCIPALES CARACTÉRISTIQUES :
symboI | vaIeur | unité |
I_T(RMS) | 0.8 | A |
VDRM/VRRM | 400/600/800 | V |
VTM | <1,5 | V |
MAXIMALES ABSOLUES CARACTÉRISTIQUES NOMINALES :
Paramètre | Symbole | vaIeur | Unité |
Plage de température de jonction de stockage | Tstg | -40~150 | ℃ |
Plage de température de jonction de fonctionnement | Tj | -40~110 | ℃ |
Tension répétitive de crête à l’état bloqué (Tj=25℃) | VDRM | 400/600/800 | V |
Tension répétitive de crête en inverse (Tj=25℃) | VRRM | 400/600/800 | V |
Courant efficace à l’état passant (Tc=80℃) | I_T(RMS) | 0.8 | A |
Courant de crête de surtension non répétitif à l’état passant (cycle complet, F=50 Hz) | I_TSM | 10 | A |
Valeur I²t pour la fusion (tp=10 ms) | I²t | 0.5 | A²s |
Vitesse critique d’augmentation du courant à l’état passant (IG=2xIGT) | dl/dt | 50 | A/μs |
Courant de crête de grille | I_GM | 0.2 | A |
Dissipation de puissance moyenne de gâchette | PG(AV) | 0.1 | W |
Puissance de crête de gâchette | PGM | 0.5 | W |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Tj=25 K sauf indication contraire)
| Symbole | vaIeur | ||||
| Condition d’essai | MIN | TYPE | MAX | unité | |
| lGT | - | 20 | 200 | μA | |
| VGT | VD=12 V, RL=33 Ω | - | 0.5 | 1 | V |
| VD=VDRM Tj110L | |||||
| VGD | RL=3,3 kΩ | 0.2 | - | - | V |
| lH | lT50mA | - | - | 2 | mA |
| lL | lG=1.2lGT | - | - | 3 | mA |
| VD=0,66XVDRM Tj110L | |||||
| dV/dt | G RGK=1 kΩ | 20 | - | - | V/μs |
CARACTÉRISTIQUES STATIQUES
| Symbole | Condition d’essai | vaIeur | unité | ||
| VTM | lTM=2A tp=380μs | Tj=25℃ | MAX | 1.5 | V |
| lDRM | VDRM= VRRM | Tj=25℃ | 5 | μA | |
| lRRM | RGK=1 kΩ | Tj110℃ | MAX | 100 | μA |
BOÎTIER DONNÉES MÉCANIQUES
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
