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YZPST-800DDM17
Le résumé du produit et les principales informations techniques seront chargés depuis la base de données produits.
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
Module IGBT à double interrupteur
P/N:YZPST-800DDM17
PARAMÈTRES CLÉS
VCES :1700 V
VCE(sat)* (typ.) : 2,7 V
IC (max.) : 800 A
IC(PK) (max.) : 1600 V

CARACTÉRISTIQUES
- Tenue au court-circuit de 10 µs
- Forte capacité de cyclage thermique
- Silicium non punch-through
- Base isolée en AlSiC avec substrats en AlN
- Construction sans plomb
APPLICATIONS
- Onduleurs haute fiabilité
- Contrôleurs de moteur
- Variateurs de traction
La gamme Powerline de modules haute puissance comprend des configurations demi-pont, hacheur, double, simple et interrupteur bidirectionnel, couvrant des tensions de 1200 V à 6500 V et des courants jusqu’à 2400 A.
Le 800DDM17 est un module IGBT double interrupteur de 1700 V, à canal N, à mode enrichissement, à grille isolée
transistor bipolaire à grille isolée (IGBT).L’IGBT présente une large zone de fonctionnement sûr en polarisation inverse (RBSOA), ainsi qu’une tenue au court-circuit de 10 μs.Ce composant est optimisé pour les variateurs de traction et d’autres applications nécessitant une forte capacité de cyclage thermique.
Le module intègre une plaque de base électriquement isolée et une construction à faible inductance, permettant aux concepteurs de circuits d’optimiser les dispositions de circuit et d’utiliser des dissipateurs thermiques reliés à la masse pour plus de sécurité.
VALEURS MAXIMALES ABSOLUES
Des contraintes supérieures à celles indiquées dans les « valeurs maximales absolues » peuvent provoquer des dommages permanents au composant.Dans des conditions extrêmes, comme pour tous les semi-conducteurs, cela peut inclure une rupture potentiellement dangereuse du boîtier.Les précautions de sécurité appropriées doivent toujours être respectées.L’exposition aux valeurs maximales absolues peut affecter la fiabilité du composant.
Tcase = 25 °C sauf indication contraire
Symbole | Paramètre | Conditions d'essai | Max. | Unités |
VCES | Tension collecteur-émetteur vTension | VGE = 0 V | 1700 | V |
VGES | Tension grille-émetteur |
| ±20 | V |
IC | Courant collecteur continuant | Tboîtier = 75 °C | 800 | A |
IC(PK) | Courant collecteur de pointe courant | 1ms, Tboîtier = 110 °C | 1600 | A |
Pmax | Dissipation de puissance max. du transistorsipation | Tboîtier = 25 °C, Tj = 150 °C | 6940 | W |
I2t | Diode I2t valeur | VR = 0, tp = 10ms, Tj = 125 ºC | 120 | kA2s |
Visol | Tension d’isolation – par module | Bornes communes à la plaque de base plaquette.AC RMS, 1 min, 50Hz | 4000 | V |
QPD | Décharge partielle – par module | CEI1287 V1 = 1800 V, V2 = 1300V, 50Hz RMS | 10 | pC |
BOÎTIER DÉTAILS
Toutes les dimensions sont en mm, sauf indication contraire.
NE PAS REDIMENSIONNER.

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