VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
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COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-RD060120H
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Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
CENTRE DE DOCUMENTATION
Téléchargements et fichiers techniques
Diode Schottky SiC 1200 V
YZPST-RD060120H
Caractéristiques
Tension de recouvrement direct nulle
Courant de recouvrement inverse nul
Excellente capacité de courant de surtension
Commutation indépendante de la température
Coefficient de température positif sur VF
Fonctionnement à haute fréquence
Avantages
Remplacer les redresseurs bipolaires par des redresseurs unipolaires
Pratiquement aucune perte de commutation
Rendement élevé
Réduction des besoins en dissipateur thermique
Câblage de dispositifs en parallèle sans emballement thermique
Applications
Câblage de dispositifs en parallèle sans emballement thermique
Correction du facteur de puissance
Onduleurs DC-AC
Onduleurs DC-DC
Paramètre | Valeur | Unité |
VRRM | 1200 | V |
IF（TC =145℃) | 60 | A |
QC | 306 | nC |
Paramètre | Symbole | Condition d’essai | Valeur | Unité |
Répétitif Crête Tension inverse | VRRM |
| 1200 | V |
Courant direct | IF | TC =25℃ TC =145℃ | 155 60 | A |
Non répétitif Surtension directege Courant | IFSM | TC =25°C, tp =10ms, Demi-onde sinusoïdale | 450 | A |
Puissance Dissipation | Ptot | TC =25℃, Tj =175℃ | 535 | W |
Température de fonctionnement et de stockage Température | Tj, Tstg |
| de -55 à +175 | ℃ |
TO-247-2L Boîtier Dimensions
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
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