VISUEL PRODUIT01 / GALERIE
.jpg)
.jpg)
.jpg)
COMPOSANT DE PUISSANCE
YZPST-SK200GD066T
✓Informations techniques du produit✓Assistance à la sélection selon l’application✓Demande de renseignements basée sur le catalogue et les besoins
E-mailinfo@yzpst.net
Téléphone+86 138 0527 8321
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
CENTRE DE DOCUMENTATION
Téléchargements et fichiers techniques
Module IGBT
YZPST-SK200GD066T
Données préliminaires
Caractéristiques
module à montage par une vis
Entièrement compatible avec 1, 2, 3
Performances thermiques améliorées grâce au substrat en oxyde d’aluminium
Technologie IGBT trench
Technologie FWD CAL
Capteur de température NTC intégré
Applications typiques*
Onduleur jusqu’à 42 kVA
Typ.puissance moteur 18,5 kW
| Caractéristiques Ts= 25 °C, sauf indication contraire | |||||
| Symbole | |||||
| Conditions | |||||
| min. typ. max. | |||||
| Unités | |||||
| IGBT | |||||
| VGE(th) | VGE= VCE, IC= 3,2 mA | 5 5,8 6,5 | V | ||
| ICES | VGE= 0 V, VCE= VCES Tj= 25 °C | 0,01 | mA | ||
| Tj= 125 °C | mA | ||||
| IGES | VCE= 0 V, VGE= 20 V Tj= 25 °C | 1200 | nA | ||
| Tj= 125 °C | nA | ||||
| VCE0 | Tj= 25 °C | 0,6 1 | V | ||
| Tj= 150 °C | 0,7 0,8 | V | |||
| rCE | VGE= 15 V Tj= 25 °C | 2,75 4 | mΩ mΩ | ||
| Tj= 150 °C | 4,25 5,5 | ||||
| VCE(sat) | ICnom= 200 A, VGE= 15 V Tj= 25 °CchipIev. | 1,45 | 1,9 | V | |
| Tj= 150 °CchipIev. | 1,7 | 2,15 | V | ||
| Cies | VCE= 25, VGE= 0 V f = 1 MHz | 12,2 | nF | ||
| C | 0,76 | nF | |||
| oes | 0,36 | nF | |||
| C | |||||
| res | |||||
| td(on) | RGon= 16 Ω | VCC= 300V | 144 | ns ns mJ ns ns mJ | |
| t r | di/dt 1720 A/μs | IC200 A | 128 | ||
| E | Tj= 150 °C | 13,9 | |||
| on | VGE-7/+15 V | 1040 | |||
| 91 | |||||
| td(off) | RGoff= 16 Ω | 12 | |||
| tf | di/dt 2575 A/μs | ||||
| E | |||||
| Rth(j-s) | par IGBT | 0,45 | K/W | ||
| Absolu Caractéristiques maximales Ts= 25 °C, sauf indication contraire | ||||||
| Symbole | ||||||
| Conditions | ||||||
| Valeurs | ||||||
| Unités | ||||||
| IGBT | ||||||
| VCES | Tj= 25 °C | 600 | V | |||
| IC | Tj= 175 oC Ts= 25 °C | 174 | A | |||
| Ts= 70 oC | 131 | A | ||||
| ICRM | ICRM= 2 x ICnom | 400 | A | |||
| VGES | ± 20 | V | ||||
| t | VCC= 360 V; VGE≤ 20 V; Tj= 125 °C | 6 | μs | |||
| psc | VCES< 600 V | |||||
| Inverse Diode | ||||||
| IF | Tj= 175 oC | T = 25 oCs | 99 | A | ||
| T = 70 oCs | 79 | A | ||||
| IFRM | IFRM= 2 x IFnom | 120 | A | |||
| Module | ||||||
| It(RMS) | A | |||||
| Tvj | -40 ... +175 | oC | ||||
| Tstg | -40 ... +125 | oC | ||||
| VisoI | AC, 1 min. | 2500 | V | |||
Aucun contenu produit supplémentaire n’est disponible.
.jpg)
.jpg)
.jpg)
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
Suivre YZPST
