YZPST-SS044N10AP
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
MOSFET de puissance N à canal N Super Gate Trench de 100 V
P/N : YZPST-SS044N10AP
CARACTÉRISTIQUES
MOSFET de puissance Super TrenchFET®
100 % testé en avalanche
Capacité dv/dt améliorée
APPLICATIONS
Interrupteur côté primaire
Autres applications
Alimentation sans interruption
Commande du composant Marquage Informations d'emballage | |||
Commande Nombre | Boîtier | Marquage | Conditionnement |
SS044N10AP |
TO-220 | YZPST SS044N10AP |
Tube |
Absolu Maximum Valeurs nominalesTC = 25 ºC, sauf indication contraire | |||
Paramètre |
Symbole | Valeur |
Unité |
TO-220 | |||
Tension drain-source (VGS= 0 V) | VDSS | 100 | V |
Collecteur continu Couran de drainant | ID | 135 | A |
Pulsé Courant de drain (note 1) | IDM | 520 | A |
Tension grille-source | VGSS | ±20 | V |
Simple Avalanche en impulsion Énergie (note2) | EAS | 780 | mJ |
Dissipation de puissance (TC = 25ºC) | PD | 208 | W |
Température de jonction et de stockage de fonctionnement and Storage Temperature Plage | TJ, Tstg | -55~+150 | ºC |
Attention : Contraintes supérieures à celles indiquées dans les « valeurs Maximum maximales admissibles » peuvent provoquer des dommages dommage à l' permanents de l'appareil. | |||
Thermique Résistance | |||
Paramètre |
Symbole | Valeur |
Unité |
TO-220 | |||
Thermique Résistance jonction-boîtier | RthJC | 0.60 | ºC/W |
Thermique Résistance, jonction-ambiante | RthJA | 62.5 | |
SpécificationsTJ= 25 ºC, sauf indication contraire | ||||||
Paramètre |
Symbole |
Conditions d'essai | Valeur |
Unité | ||
Min. | Typ. | Max. | ||||
Statique | ||||||
Drain-source Tension de claquage | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID= 250µA | 100 | -- | -- | V |
Tension grille-source nulle Courant de drain | IDSS | VFiche technique =100, VGS= 0V, TJ= 25ºC | -- | -- | 1.0 | μA |
Grille-source Fuite | IGSS | VGS= ±20V | -- | -- | ±100 | nA |
Tension de seuil grille-source | VGS(th) | VFiche technique = 250µA | 2.0 | -- | 4.0 | V |
Résistance à l'état passant drain-source (note3) | RFiche technique(on) | VGS= 10V, ID=50A | -- | 3.6 | 4.4 | mΩ |
Dynamique | ||||||
Capacité d'entrée | Ciss |
VGS = 0V, VFiche technique = 50V, f = 1.0MHz | -- | 7300 | -- |
pF |
Capacité de sortie | Coss | -- | 850 | -- | ||
Capacité de transfert inverse | Crss | -- | 25 | -- | ||
Charge de grille totale Charge | Qg |
VDD = 50 V, ID= 20 A, VGS= 10 V | -- | 114 | -- |
nC |
Charge grille-source | Qgs | -- | 37 | -- | ||
Charge grille-drain | Qgd | -- | 26 | -- | ||
Enclenchement Temps de retard | td(on) |
VDD = 50 V, ID= 50 A, VGS= 10 V RG = 3,0 Ω | -- | 32 | -- |
ns |
Enclenchement Temps de montée | tr | -- | 50 | -- | ||
Temps de retard à l’extinction | td(off) | -- | 83 | -- | ||
Temps de chute à l’extinction Temps | tf | -- | 30 | -- | ||
Drain-source le boîtier Caractéristiques de la diodeCaractéristiques | ||||||
Collecteur continu le boîtier Courant de diode | IS |
TC = 25 ºC | -- | -- | 135 |
A |
Pulsé Diode Courant direct | ISM | -- | -- | 520 | ||
le boîtier Tension de diode | VSD | TJ= 25 ºC, ISD= 50 A, VGS= 0 V | -- | 0.9 | 1.2 | V |
Temps de Temps de récupération | trr | VGS = 0 V, IS= 50 A, diF/dt = 500 A/μs | -- | 75 | -- | ns |
Temps de Charge de recouvrement | Qrr | -- | 160 | -- | nC | |
Remarques
- RépétitifValeur nominale :Limité par la largeur d’impulsion par température maximale de jonction
- VDD= 50 V,RG =25 Ω , Démarrage TJ= 25 ºC
- Essai par impulsions :Largeurd’impulsion ≤ 300 μs, Rapport cyclique Cycle ≤ 1 %
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
