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YZPST-FF600R12ME4
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
YZPST-FF600R12ME4
Module de puissance IGBT
Applications
Onduleur pour entraînement moteur
Amplificateur d’asservissement CA et CC
ASI (alimentation sans interruption)
Caractéristiques
Faible Vce(sat) avec la technologie SPT+
Vce(sat) avec coefficient de température positif
Inclut des diodes de roue libre antiparallèles à récupération rapide et douce
Forte capacité de tenue au court-circuit (10 µs)
Structure de module à faible inductance
Absolu Maximum Valeurs
Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unité |
Tension collecteur-émetteur | VCES | VGE=0 V, IC =1 mA, Tvj=25℃ | 1200 | V |
Courant collecteur continuant | IC | Tc=100℃ | 600 | A |
Courant collecteur de crête | ICRM | ICRM=2IC | 1200 | A |
Tension grille-émetteur | VGES | Tvj=25℃ | ±20 | V |
Dissipation Dissipation de puissance (onduleur IGBT) | Ptot | Tc=25℃ Tvjmax=175℃ | 3750 | W |
Caractéristiques de l’IGBT
| Paramètre | Valeur | Unité | ||||
| Symbole | Conditions | Min. | Typ. | Max. | ||
| Tension de seuil grille-émetteur | VGE(th) | VGE=VCE, IC =3 mA, Tvj=25℃ | 5 | 5.8 | 6.5 | V |
| VCE=1200 V, VGE=0V, Tvj=25℃ | 1 | mA | ||||
| Coupe du c collecteur-émetteurure | ICES | VCE=1200 V, VGE=0V, Tvj=125℃ | 5 | mA | ||
| Collecteur-émetteur | Ic=600A,VGE=15V, Tvj=25℃ | 1.7 | V | |||
| Tension de saturation | VCE(sat) | Ic=600A,VGE=15V, Tvj=125℃ | 2 | V | ||
| Capacité d'entrée | Cies | 43.1 | nF | |||
| Capacité de sortie | Coes | VCE=25V,VGE =0 V, | 2.25 | nF | ||
| Capacité de transfert inverse | Cres | f=1MHz, Tvj=25℃ | 1.95 | nF | ||
| Gâchette interne Résistance | Rgint | 1.25 | Ω | |||
| Enclenchement Temps de retard | td(on) | 250 | ns | |||
| Temps de montée | tr | IC =600 A | 88 | ns | ||
| Temps de retard à l’extinction | td(off) | VCE = 600 V | 560 | ns | ||
| Temps de descente | tf | VGE = ±15V | 131 | ns | ||
| Énergie Dissipation Pendant l'enclenchement Temps | Eon | RG = 1,2 Ω | 33.1 | mJ | ||
| Énergie Dissipation Pendant l'allumage-off Temps | Eoff | Tvj=25℃ | 57.8 | mJ | ||
| Enclenchement Temps de retard | td(on) | 300 | ns | |||
| Temps de montée | tr | IC =600 A | 102 | ns | ||
| Temps de retard à l’extinction | td(off) | VCE = 600 V | 650 | ns | ||
| Temps de descente | tf | VGE = ±15V | 180 | ns | ||
| Énergie Dissipation Pendant l'enclenchement Temps | Eon | RG = 1,2 Ω | 50.2 | mJ | ||
| Énergie Dissipation Pendant l'allumage-off Temps | Eoff | Tvj=125℃ | 87.8 | mJ | ||
| Tp≤10 μs, VGE=15 V, | ||||||
| SC Données | Isc | Tvj=150℃,Vcc=600 V, | 2400 | A | ||
| VCEM≤1200 V | ||||||
Boîtier Dimensions
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
