Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Pour plus d’informations surDiode haute tensionveuillez télécharger le fichier PDF ci-dessus nommé "YZPST HIGH VOLTAGE DIODE IN PLASTIC PACKAGE Rev.02"
N° | Article | Symbole | Unité | Valeur nominale | Conditions |
1 | Tension inverse de crête répétitive | VRRM | kV | 8 | |
2 | Courant direct moyen | IF (AV) | mA | 200 | Tamb=60 °C Sinusoïde à demi-onde 50 Hz Valeur moyenne de redressement |
3 | Courant de surtension directe | IFSM | A | 15 | Tamb=25 °C Sinusoïde à demi-onde 50 Hz, impulsion unique |
4 | Courant de surtension inverse | IRSM | μA | 5 | |
5 | Température de jonction maximale | Tjmax | °C | 130 | |
6 | Température de stockage | Tstg | °C | -40~+130 |
N° | Article | Symbole | Unité | Valeur nominale | Conditions d'essai |
1 | Chute de tension directe | VFM | V | 18 max | IFM=200 mA |
2 | Courant inverse à température normale | IRM1 | μA | 5 max | VRM=8 kV |
YZPST peut fournir la liste des équivalents suivante pour diodes haute tension.
Diodes haute tension
2CLG 100 mA 10 kV
2CLG 100 mA 20 kV
2CLG 100 mA 15 kV
2CL 500 mA 12 kV
2CL104 (350 mA 12 kV)
2CL106 (500 mA 12 kV)
HV600S10 (600 mA 10 kV)
HV600S12 (500 mA 12 kV)
Diode haute tension à haute fréquence
2CL G 20 mA 20 kV 80 ns
04D, 04Z (10 mA 4000 V, 80 ns)
08D,08X, 08Z (10 mA 8000 V, 80 ns)
PST-12 (10 mA 12000 V, 80 ns)
PST-14 (10 mA 12000 V, 80 ns)
PST-16 (10 mA 12000 V, 80 ns)
HV37-08 (200 mA 8 kV 80 ns)
HV37-08F (200 mA 8 kV 70 ns)
HV37-10 (200 mA 10 kV 80 ns)
HV37-20 (200 mA 20 kV 80 ns)
HV37-20F (200 mA 20 kV 70 ns)
CL03-10F (300 mA 10 kV 80 ns)
FOB (450 mA 8 kV 40 ns)
FOB-12 (450 mA 12 kV 40 ns)
Empilage de silicium haute tension
(20 mA-10 A, 30 kV-500 kV)
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Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
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