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YZPST-T4150-08FT
Astuce : indiquez la référence du composant, la tension/le courant cible ainsi que l’environnement d’utilisation.
Téléchargements et fichiers techniques
MAXIMALES ABSOLUES VALEURS | |||
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
de stockage température de jonction plage | Tstg | -40~ 150 | ℃ |
En fonctionnement jonction température plage | Tj | -40~ 125 | ℃ |
Tension de blocage répétitive de crête à l’état bloqué(T =25℃) | VDRM | 800/1600 | V |
Tension inverse de crête répétitive (T =25℃) | VRRM | 800/1600 | V |
Courant efficace à l’état passant (TC=80℃) | IT(RMS) | 40 | A |
Courant de crête de surtension non répétitif à l’état passant (cycle complet, F=50Hz) | ITSM | 400 | A |
I2Valeur t pour le fusible (tp= 10 ms) | I2t | 800 | A2 S |
Critique du taux de de montée de on-État courant(I =2×IGT) | di/dt | 50 | A/μS |
Crête de grille courant | IGM | 8 | A |
Dissipation de puissance de crête de grilleion | PGM | 40 | W |
Dissipation de puissance moyenne de grille | PG(AV) | 1 | W |
Résistances thermiques | |||
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
Rth(j-c) | Jonction-boîtier | 0.8 |
℃/W |
Rth(j-a) | Jonction-ambiant | 50 | |
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (T=25℃ sauf indication contraire) | |||||
Symbole | Condition d’essai | Quadrant |
| Valeur | Unité |
IGT | VD= 12V,IT=0.1A,Tj=25 ℃ | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MAX. | 50 | mA |
VGT | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MAX. | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRMTj=125℃ | Ⅰ Ⅱ Ⅲ | MIN. | 0.2 | V |
IL | IG= 1.2IGT | Ⅰ-Ⅲ |
MAX. | 100 |
mA |
Ⅱ | 160 | ||||
IH | IT=500mA | MAX. | 80 | mA | |
dV/dt | VD=2/3VDRMGate Ouvert Tj=125℃ | MIN. | 1000 | V/μs | |
CARACTÉRISTIQUES STATIQUES | ||||
Symbole | Paramètre | Valeur(MAX.) | Unité | |
VTM | ITM=60A tp=380μs | Tj=25℃ | 1.5 | V |
VTO | Tension de seuil | Tj = 125℃ | 0.80 | V |
RD | Résistance dynamique | Tj = 125℃ | 15 | mΩ |
IDRM | VD=VDRMVR=VRRM | Tj=25℃ | 10 | μA |
IRRM | Tj = 125℃ | 6 | mA | |
TO-3PF Boîtier Mécaniques Données
Dispositifs semi-conducteurs de puissance, composants de protection et solutions d'alimentation industrielles.
